Transistor Tunneling Hiệu Ứng Dựa Trên Cấu Trúc Hetero Vertical Graphene

American Association for the Advancement of Science (AAAS) - Tập 335 Số 6071 - Trang 947-950 - 2012
L. Britnell1, Р. В. Горбачев2, R. Jalil2, Branson D. Belle2, F. Schedin2, Artem Mishchenko1, Thanasis Georgiou1, M. I. Katsnelson3, L. Eaves4, С. В. Морозов5, N. M. R. Peres6,7, Jon Leist8, A. K. Geǐm2,1, Kostya S. Novoselov1, Л. А. Пономаренко1
1School of Physics and Astronomy, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK
2Manchester Centre for Mesoscience and Nanotechnology, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, UK.
3Institute for Molecules and Materials, Radboud University of Nijmegen, 6525 AJ Nijmegen, Netherlands.
4School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK
5Institute for Microelectronics Technology, 142432 Chernogolovka, Russia
6Departamento de Física, Universidade do Minho, P-4710-057, Braga, Portugal.
7Graphene Research Centre and Department of Physics, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, 117542 Singapore.
8Momentive Performance Materials, 22557 West Lunn Road, Strongsville, OH 44070, USA.

Tóm tắt

Rào Cản Tunneling cho Transistor Graphene Hoạt động của transistor cho mạch tích hợp không chỉ yêu cầu vật liệu cổng có khả năng di động cao của tải điện, mà còn cần một phương pháp hiệu quả để tạo ra một rào cản cho dòng điện nhằm tắt thiết bị và không gây lãng phí năng lượng. Graphene cung cấp khả năng di động cao cho tải, nhưng hình dạng của các dải dẫn và dải hóa trị của nó cho phép hiện tượng tunneling electron và làm cho việc đạt được dòng điện thấp ở trạng thái “tắt” trở nên khó khăn. Britnell et al. (tr. 947 , xuất bản trực tuyến ngày 2 tháng 2) đã chế tạo các transistor hiệu ứng trường, trong đó một rào cản tunneling mỏng được tạo ra từ một vật liệu dạng lớp—hoặc boron nitride dạng lục giác hoặc disulfide molybdenum—được kẹp giữa các tấm graphene. Các thiết bị này cho thấy tỉ lệ bật-tắt khoảng ≈50 và ≈10,000, tương ứng, ở nhiệt độ phòng.

Từ khóa

#Transistor #Graphene #Tunneling #Rào cản điện #Heterostructures

Tài liệu tham khảo

10.1038/nnano.2007.300

10.1126/science.1158877

10.1038/nnano.2010.89

10.1038/nature09979

10.1038/nature09405

10.1021/nl2016637

10.1126/science.1204428

10.1103/PhysRevLett.99.216802

10.1038/nmat2082

10.1103/PhysRevLett.98.206805

10.1007/s11467-011-0182-3

10.1126/science.1167130

10.1063/1.99649

10.1147/rd.344.0530

10.1063/1.368610

10.1063/1.1600832

10.1103/PhysRevB.84.085301

10.1038/nnano.2010.172

10.1021/nl200758b

10.1073/pnas.0502848102

10.1038/nphys2114

10.1002/smll.201001628

10.1103/RevModPhys.81.109

10.1063/1.1702682

E. L. Wolf Principles of Electron Tunneling Spectroscopy (Oxford Univ. Press Oxford 1985).

10.1103/PhysRevLett.105.136801

10.1038/nmat2968

10.1021/nl202725w

10.1103/PhysRevB.44.7787

10.1021/nl202131q

10.1103/PhysRevB.84.195414

L. D. Landau E. M. Lifshitz Quantum Mechanics (Oxford: Pergamon Oxford 1977).

10.1103/PhysRevB.83.235312

L. Gmelin Gmelin Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry (SpringerVerlag Berlin 1995).

Thông tin
Thông tin xuất bản

American Association for the Advancement of Science (AAAS)

Tập 335 Số 6071

947-950

Thông tin tác giả