Bộ Nhớ Piroelektric

American Association for the Advancement of Science (AAAS) - Tập 246 Số 4936 - Trang 1400-1405 - 1989
J. F. Scott1, Carlos A. Paz de Araújo2
1Professor of physics and chairman of the Condensed Matter Laboratory at the University of Colorado, Boulder, CO 80309
2Professor of electrical engineering and director of the Microelectronics Laboratory at the University of Colorado, Colorado Springs, CO 80933

Tóm tắt

Trong năm qua, việc chế tạo bộ nhớ mỏng piroelektric trên các mạch tích hợp silicon tiêu chuẩn đã trở thành khả thi, với sự kết hợp giữa tốc độ rất cao (hoạt động đọc/xóa/ghi lại trong 30 nanogps), mức logic silicon tiêu chuẩn 5 volt, mật độ rất cao (kích thước ô 2 x 2 micromet), hoàn toàn không bị bay hơi (không cần nguồn điện chờ) và khả năng chống bức xạ cực tốt. Những bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên piroelektric này dự kiến sẽ thay thế bộ nhớ lõi từ, các hệ thống bộ nhớ bóng từ và bộ nhớ chỉ đọc có thể xóa điện cho nhiều ứng dụng. Động học chuyển mạch của những bộ phim này, có độ dày từ 100 đến 300 nanomet, hiện đã được hiểu rõ, với thời gian chuyển mạch phù hợp với sự phụ thuộc của trường kích hoạt, điều chỉnh theo trường và nhiệt độ áp dụng. Những vấn đề trước đây liên quan đến mệt mỏi và sự thất bại của việc lưu giữ cũng đã được hiểu rõ và đã được cải thiện đến mức chấp nhận được.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Dataquest (1 1988).

Rohrer G. A. U.S. Patent 3 728 694 (1973).

Rohrer G. A. U.S. Patent 4 707 897 (1987).

McMillan L. U.S. Patent 4 713 157 (1987).

ATKIN, R.B., PERFORMANCE OF SPUTTERED PB0.92BI0.07LA0.01 (FE0.405NB0.325ZR0.27)O3FERROELECTRIC MEMORY FILMS, FERROELECTRICS 3: 213 (1972).

BEHRINGER, R. E., JOURNAL OF THE FRANKLIN INSTITUTE-ENGINEERING AND APPLIED MATHEMATICS 272: 14 (1961).

BINDER, K, SURFACE EFFECTS ON PHASE-TRANSITIONS IN FERROELECTRICS AND ANTI-FERROELECTRICS, FERROELECTRICS 35: 99 (1981).

CALLABY, D.R., SURFACE LAYER OF BATIO3, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 37: 2295 (1966).

CALLABY, D.R., DOMAIN WALL VELOCITIES AND SURFACE LAYER IN BATIO3, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 36: 2751 (1965).

CHAPMAN, D.W., SOME THIN-FILM PROPERTIES OF A NEW FERROELECTRIC COMPOSITION, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 40: 2381 (1969).

CROTEAU, A, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 26: 18 (1987).

Dederichs, H., Ferroelectrics 68: 281 (1986).

DEY, S.K., THIN-FILM FERROELECTRICS OF PZT BY SOL-GEL PROCESSING, IEEE TRANSACTIONS ON ULTRASONICS FERROELECTRICS AND FREQUENCY CONTROL 35: 80 (1988).

DEY, S.K., JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY 70: C295 (1987).

DEY, S.K., PROCEEDINGS OF THE BRITISH CERAMIC SOCIETY 36: 107 (1985).

DIMMLER, K, SWITCHING KINETICS IN KNO3 FERROELECTRIC THIN-FILM MEMORIES, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61: 5467 (1987).

Duiker, H. M., Physical Review B 41: 490 (1990).

Eaton S. A. Proceedings of the International Solid State Circuits Conference in press.

EGUCHI, M, P PHYS MATH SOC JPN 1: 326 (1919).

EVANS, J.T., AN EXPERIMENTAL 512-BIT NONVOLATILE MEMORY WITH FERROELECTRIC STORAGE CELL, IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS 23: 1171 (1988).

Fatuzzo E. Ferroelectricity (1967).

FATUZZO, E, JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 17: 238 (1962).

Fridkin V. Ferroelectric Semiconductors (1980).

GARVIE, R.C., STABILITY LIMITS IN THE MONOCLINIC-TETRAGONAL TRANSFORMATIONS OF ZIRCONIA, PHYSICA B & C 150: 203 (1988).

GLASS, A.M., EVOLUTION OF FERROELECTRICITY IN ULTRAFINE-GRAINED PB5GE3O11 CRYSTALLIZED FROM GLASS, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48: 5213 (1977).

HADNI, A, HIGH ELECTRIC-FIELDS AND SURFACE-LAYERS IN VERY THIN SINGLE-CRYSTAL PLATES OF TRIGLYCINE SULFATE, FERROELECTRICS 59: 221 (1984).

HADNI, A, THE USE OF A REGULAR DISTRIBUTION OF MINUTE PINHOLES FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF AN ORIENTED THIN-FILM, THIN SOLID FILMS 81: 247 (1981).

Horton R. Proceedings of the Conference on Ferroelectric Integrated Devices in press.

IKEGAMI, S, MECHANISM OF AGING IN POLYCRYSTALLINE BATIO, JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 22: 725 (1967).

ISHIBASHI, Y, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 24 2: 126 (1986).

KAY, H.F., THICKNESS DEPENDENCE OF NUCLEATION FIELD OF TRIGLYCINE SULPHATE, PHILOSOPHICAL MAGAZINE 7: 2027 (1962).

LUBENSKY, T. C., PHYSICAL REVIEW B 12: 3885 (1975).

McMillan L. D. SBIR report to Defense Nuclear Agency (1989).

MILLS, D.L., SURFACE EFFECTS IN MAGNETIC CRYSTALS NEAR ORDERING TEMPERATURE, PHYSICAL REVIEW B 3: 3887 (1971).

NAKAGAWA, T, FERROELECTRIC PROPERTIES OF RF SPUTTERED PLZT THIN-FILM, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 18: 897 (1979).

NEEL, L, REMARQUES SUR LA THEORIE DES PROPRIETES MAGNETIQUES DES COUCHES MINCES ET DES GRAINS FINS, JOURNAL DE PHYSIQUE ET LE RADIUM 17: 250 (1956).

ORIHARA, H, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 24: 902 (1985).

PAYNE, D.A., BULLETIN OF THE AMERICAN PHYSICAL SOCIETY 34: 991 (1989).

PLESSNER, K.W., AGEING OF THE DIELECTRIC PROPERTIES OF BARIUM TITANATE CERAMICS, PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION B 69: 1261 (1956).

Plumlee R. H. Sandia Laboratories Report SC-RR-67-730 (1967).

Sayer, M., Proceedings of the 6th IEEE International Symposium on Applied Ferroelectrics: 560 (1986).

SCHAFFER W COMMUNICATION.

Schubring, N. W., Ferroelectricity: 269 (1967).

SCHUBRING, N.W., POLARIZATION REVERSAL IN FERROELECTRIC KNO, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 38: 1671 (1967).

Scott, J. F., Ferroelectrics 93:31 (1989).

Scott J. F. Proceedings of the European Conference on Applied Ferroelectrics in press.

SCOTT, J.F., SWITCHING KINETICS OF LEAD ZIRCONATE TITANATE SUB-MICRON THIN-FILM MEMORIES, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 64: 787 (1988).

SCOTT, J.F., RAMAN-SPECTROSCOPY OF SUB-MICRON KNO3 FILMS .2. FATIGUE AND SPACE-CHARGE EFFECTS, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 64: 1547 (1988).

SCOTT, J.F., RADIATION EFFECTS ON FERROELECTRIC THIN-FILM MEMORIES - RETENTION FAILURE MECHANISMS, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 66: 1444 (1989).

SCOTT, J.F., PROPERTIES OF CERAMIC KNO3 THIN-FILM MEMORIES, PHYSICA B & C 150: 160 (1988).

Scott, J. F., Proceedings of the 6th IEEE International Symposium on Applied Ferroelectrics: 569 (1986).

SHARMA, B.S., RETENTION IN THIN FERROELECTRIC FILMS, FERROELECTRICS 5: 69 (1973).

STADLER, H.L., FERROELECTRIC SWITCHING TIME OF BATIO3 CRYSTALS AT HIGH VOLTAGES, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 29: 1485 (1958).

STADLER, H.L., THICKNESS DEPENDENCE OF BATIO3 SWITCHING TIME, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 33: 3487 (1962).

STADLER, H.L., NUCLEATION AND GROWTH OF FERROELECTRIC DOMAINS IN BATIO3 AT FIELDS FROM 2 TO 450 KV/CM, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 34: 3255 (1963).

TAKAGI, Y, JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 31: 506 (1971).

TILLER, C.O., COERCIVE FORCE VS THICKNESS FOR THIN FILMS OF NICKEL-IRON, PHYSICAL REVIEW 110: 583 (1958).

TILLEY, D.R., LANDAU THEORY OF PHASE-TRANSITIONS IN THICK-FILMS, SOLID STATE COMMUNICATIONS 49: 823 (1984).

Tomashpolsky Y. Y. Ferroelectric Thin Films (1984).

Vest R. W. IEEE Transactions on Ultrasonics Ferroelectrics and Frequency in press.

VOLZ, H, PREPARATION, PROPERTIES AND APPLICATION OF THIN FERROELECTRIC-FILMS OF PLZT, FERROELECTRICS 56: 161 (1984).

VOLZ, H, MATER RES B 20: 829 (1985).

WU, S.Y., FERROELECTRICS 10: 209 (1976).

Xu, J. J., IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency 36: 307 (1990).

Zuleeg, R., Ferroelectrics 112:309 (1990).

Zuleeg R. personal communication.

Thông tin
Thông tin xuất bản

American Association for the Advancement of Science (AAAS)

Tập 246 Số 4936

1400-1405

Thông tin tác giả