Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Chế tạo lỗ mở kích thước nhỏ hơn bước sóng cho đầu dò quang gần trên dải cantilever
Proceedings of the 2nd IEEE Conference on Nanotechnology - Trang 173-176
Tóm tắt
Lỗ mở silicon oxit kích thước nano trên dải cantilever đã được chế tạo thành công như một đầu dò quang gần. Nhiều quy trình bán dẫn đã được sử dụng để chế tạo lỗ mở có kích thước nhỏ hơn bước sóng. Quy trình khắc chọn lọc anisotropic của nền Si bằng dung dịch kiềm, sau đó là quá trình oxy hóa phụ thuộc vào phương tinh thể, khắc plasma anisotropic và khắc oxit isotropic đã được thực hiện. Các dải chấm kích thước 3 và 4 micron đã được định hình ban đầu bằng phương pháp quang khắc trên mặt trước của wafer Si[100]. Sau khi chế tạo hình dạng R-groove bằng quá trình khắc TMAH anisotropic, quá trình tăng trưởng oxit ở 1000 độ C đã được thực hiện để có được mặt nạ khắc oxit. Lớp oxit trên mặt phẳng Si[111] đã được sử dụng như một mặt nạ khắc cho quá trình khắc plasma khô và khắc ướt bằng HF pha loãng để chế tạo lỗ mở kích thước nano. Lớp Au mỏng đã được lắng đọng trên lỗ mở oxit kích thước nano đã chế tạo trên dải cantilever. Dải NSOM (5x1) với lỗ mở kim loại 130 nm đã được chế tạo thành công.
Từ khóa
#Optical device fabrication #Apertures #Probes #Anisotropic magnetoresistance #Geometrical optics #Optical arrays #Plasma applications #Dry etching #Wet etching #SiliconTài liệu tham khảo
10.1063/1.124740
10.1063/1.116520
10.1109/5.704259
10.1147/rd.396.0681
jung, 2000, Proceedings of the European Surface Science Meeting
10.1063/1.119458
10.1109/16.2412
10.1143/JJAP.37.2079
10.1147/rd.443.0323
10.1116/1.589142
10.1116/1.582350
10.1063/1.114223