Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đánh giá quy trình làm sạch bề mặt Si(211) cho sự lắng đọng epitaxy chùm phân tử của các cảm biến hồng ngoại
Tóm tắt
Chúng tôi báo cáo kết quả đánh giá khả năng tái hiện của quy trình làm sạch HF và quá trình hóa passivation As trước khi hình thành tinh thể ZnTe trên bề mặt Si(211) bằng cách sử dụng phổ hấp thụ nhiệt, phổ tán xạ ion và phổ điện tử. Các quan sát cho thấy bề mặt Si(211) được bao phủ hoàn toàn bởi H với chủ yếu là trạng thái monohydride và một lượng nhỏ các trạng thái dihydride, và rằng F phân bố đồng nhất trên lớp bề mặt như một loài hấp phụ vật lý. Những biến đổi về mức độ ô nhiễm chính được quan sát thấy trên bề mặt Si và tại giao diện CdTe-ZnTe/Si. Các khiếm khuyết hoạt động như những vật hút cho các tạp chất có mặt trên bề mặt Si, và một số thì bị chôn vùi dưới cấu trúc dị thể CdTe/ZnTe. Tóm lại, dữ liệu cho thấy bằng chứng về sự tập trung cục bộ của các tạp chất chính xung quanh các khiếm khuyết, hỗ trợ giả thuyết về một mô hình vật lý giải thích sự kích hoạt điện của các khiếm khuyết trong các thiết bị HgCdTe/CdTe/Si trong vùng hồng ngoại dài (LWIR).
Từ khóa
#Si(211) #HF cleaning #As passivation #ZnTe nucleation #surface spectroscopy #impurities #defects #HgCdTe/CdTe/Si devicesTài liệu tham khảo
G. Brill, Y. Chen, N.K. Dhar, and R. Singh, J. Electron. Mater. 32, 717 (2003).
N.K. Dhar, P.R. Boyd, M. Martinka, J.H. Dinan, L.A. Almeida, and N. Goldsman, J. Electron. Mater. 29, 748 (2000).
L. Fotiadis and R. Kaplan, Thin Solid Films 184, 415 (1990).
T.M. Jung, R. Kaplan, and S.M. Prokes, Surf. Sci. 289, L577 (1993).
V.L. Thanh, Thin Solid Films 321, 98 (1998).
D.B. Fenner, D.K. Biegelsen, and R.D. Bringans, J. Appl. Phys. 66, 419 (1989).
T. Hsu, B. Anthony, R. Qian, J. Irby, S. Banerjee, A. Tasch, S. Lin, H. Marcus, and C. Magee, J. Electron. Mater. 20, 279 (1991).
P.J. Grunthaner, F.J. Grunthaner, R.W. Fathauer, T.L. Lin, M.H. Hecht, L.D. Bell, W.J. Kaiser, F.D. Schowengerdt, and J.H. Manzur, Thin Solid Films 183, 197 (1989).
N. Miyata, S. Wantanabe, and S. Okamura, Appl. Surf. Sci. 117–118, 26 (1997).
Y. Morita and H. Tokomoto, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 854 (1996).
P. Jakob and Y.J. Chabal, J. Chem. Phys. 95, 2897 (1991).
M.A. Hines, Y.J. Chabal, T.D. Harris, and A.L. Harris, J. Chem. Phys. 101, 8055 (1994).
G.S. Higashi, Y.J. Chabal, G.W. Trucks, and K. Raghvachari, Appl. Phys. Lett. 56, 656 (1990).
M. Schwartzkoopff, P. Radojkovic, M. Enachescu, E. Hartmann, and F. Koch, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1336 (1996).
M. Niwano, Y. Takeda, K. Kurita, and M. Miyamoto, J. Appl. Phys. 72, 2488 (1992).
A. Laracuente, S.C. Erwin, and L.J. Whitman, Appl. Phys. Lett. 74, 1397 (1999).
A.A. Baski and L.J. Whitman, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 1469 (1995).
A.A. Baski and L.J. Whitman, Phys. Rev. Lett. 74, 956 (1995).
J.D. Benson, L.O. Bubulac, P.J. Smith, R.N. Jacobs, M. Jaime-Vasquez, L.A. Almeida, A. Stoltz, P.S. Wijewarnasuriya, G. Brill, Y. Chen, U. Lee, M.F. Viela, J. Peterson, S.M. Johnson, D.D. Lofgreen, D. Righer, E.A. Patten, and P.M. Goetz, J. Electron. Mater. (this issue).
L.O. Bubulac, J.D. Benson, A. Wang, L. Wang, R.N. Jacobs, R. Hellmer, T. Golding, A.J. Stoltz, M. Jaime-Vasquez, and L.A. Almeida, J. Electron. Mater. (this issue).
L.O. Bubulac, J.D. Benson, A. Wang, L. Wang, R.N. Jacobs, R. Hellmer, T. Golding, A.J. Stoltz, M. Jaime-Vasquez, L.A. Almeida, M.F. Lee, M.F. Vilela, J. Peterson, S.M. Johnson, D.F. Lofgreen, and D. Rhiger, J. Electron. Mater. (this issue).
H.H. Brogersma and P.M. Mul, Chem. Phys. Lett. 14, 380 (1972).
P.J. Taylor, W.A. Jesser, M. Martinka, K.M. Singley, J.H. Dinan, R.T. Lareau, M.C. Wood, and W.W. Clark III, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1153 (1999).
P. Gupta, V.L. Colvin, and S.M. George, Phys. Rev. B 37, 8234 (1988).
G.J. Pietsch, U. Kohler, and M. Henzler, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 78 (1994).
M. Jaime-Vasquez, M. Martinka, R.N. Jacobs, and M. Groenert, J. Electron. Mater. 35, 1455 (2006).
O. Kennard, CRC Handbook of Chemistry and Physics, ed. R.C. Weast, 49th ed. (Cleveland, OH: The Chemical Rubber Co., 1968–1969), p. F156.
R. Singh, S. Prkash, N.N. Shunkla, and R. Prasad, Phys. Rev. B 70, 115213 (2004).
U. Freking, P. Kruger, A. Mozar, and J. Pollmann, Phys. Rev. B 69, 035313 (2004).
T. Hsu, S. Lin, B. Anthony, R. Qian, J. Irvy, D. Kinosky, A. Jajajan, S. Banerjee, A. Tasch, and H. Marcus, Appl. Phys. Lett. 61, 580 (1992).
B.R. Winberger, G.G. Peterson, T.C. Eschrich, and H.A. Krasinki, J. Appl. Phys. 60, 3232 (1986).
T. Takahagi, A. Ishitani, H. Kuroda, and Y. Nagasawa, J. Appl. Phys. 69, 803 (1991).
Y. Morikwa, K. Kubota, H. Ogawa, T. Ichiki, A. Tachibana, S. Fujimura, and Y. Horiike, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 345 (1998).
S. Wantanabe and M. Shigeno, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1702 (1992).
V.M. Bermudez, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 3478 (1992).