Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tăng cường hiện tượng tán xạ Raman trong cấu trúc silicon có rãnh
Tóm tắt
Hiện tượng tán xạ Raman trong các cấu trúc silicon có rãnh bao gồm một dãy các khoang (rãnh) và lớp silicon đã được nghiên cứu. Kết quả cho thấy cường độ thành phần Stokes tăng lên nhiều lần khi độ dày của các lớp silicon (1–2 μm) gần bằng bước sóng kích thích. Các kết quả thu được, được giải thích như là biểu hiện của các hiệu ứng định vị ánh sáng, gợi ý rằng các cấu trúc có rãnh kiểu này hứa hẹn sẽ là các ma trận mang lại hiệu suất tán xạ Raman cao hơn.
Từ khóa
#tán xạ Raman #cấu trúc silicon có rãnh #hiệu ứng định vị ánh sáng #cường độ StokesTài liệu tham khảo
M. Elwenspoek and H. V. Jansen, Silicon Micromachining (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1998).
V. A. Tolmachev, E. V. Astrova, Yu. A. Pilyugina, et al., Opt. Mater. 27, 831 (2005).
E. V. Astrova, T. S. Perova, V. A. Tolmachev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 37, 417 (2003) [Semiconductors 37, 399 (2003)].
E. Yu. Krutkova, L. A. Golovan’, V. Yu. Timoshenko, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 40, 855 (2006) [Semiconductors 40, 834 (2006)].
M. Born and E. Wolf, Principles of Optics, 4th ed. (Pergamon, Oxford, 1969; Nauka, Moscow, 1970).
O. Boyraz and B. Jalali, Opt. Express 12, 5269 (2004).
D. Dimitropoulos, S. Fathpour, and B. Jalali, Appl. Phys. Lett. 87, 261108 (2005).
P. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors (Springer, Berlin, 1996; Fizmatlit, Moscow, 2002).
S. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981; Mir, Moscow, 1984).