Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Loại bỏ sự tương tác điện tử-phonon trong siêu mạng trong một trường từ định lượng
Tóm tắt
Các định luật bảo toàn năng lượng và vectơ sóng đặt ra những ràng buộc nghiêm ngặt về các quy trình tương tác điện tử-phonon có thể xảy ra trong một siêu mạng bị chìm trong một trường từ định lượng hướng theo trục phát triển của nó. Nếu độ rộng của dải ngang Landau nhỏ hơn năng lượng cực đại của một phonon âm trong siêu mạng, thì sự tán xạ đơn phonon trong dải trở nên không thể xảy ra đối với tất cả các trạng thái điện tử trong dải được xem xét. Do đó, sự đóng góp của phonon vào các quy trình tán xạ điện tử có thể trở nên không đáng kể trong các siêu mạng có chu kỳ lớn trong sự hiện diện của một trường từ định lượng.
Từ khóa
#tương tác điện tử-phonon #siêu mạng #trường từ định lượng #tán xạ phononTài liệu tham khảo
O. V. Kibis and M. V. Éntin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 584 (1994) [Semiconductors 28, 352 (1994)].
O. V. Kibis, in 2nd Russian Conference on Semiconductor Physics. Abstracts [in Russian], Zelenogorsk (1996) Vol. 2, p. 51.
M. F. Deigen and S. I. Pekar, Zh. Éksp. Teor. Fiz. 21, 803 (1951).
L. S. Kukushkin, JETP Lett. 7, 194 (1968).
O. V. Kibis and V. S. Shadrin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 21, 185 (1987) [Sov. Phys. Semicond. 21, 113 (1987)].
O. V. Kibis, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 125 (1995) [Semiconductors 29, 66 (1995)].
A. M. Stoneham, Theory of Defects in Solids: The Electronic Structure of Defects in Insulators and Semiconductors, Clarendon Press, Oxford (1975) [Russ. trans., Mir, Moscow (1978)].