Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Mô hình giữ điện tử cho điện tích cục bộ trong điện môi oxit-nitrua-oxit (ONO)
Tóm tắt
Một mô hình giữ điện tử cho điện tích cục bộ, bị bẫy trong lớp điện môi ONO xếp chồng, được giới thiệu sử dụng thiết bị bộ nhớ chỉ đọc nitrua (NROM). Sự giảm ngưỡng điện áp (mất giữ) quan sát được của một ô đã được lập trình được giải thích theo việc phân phối lại điện tích theo phương ngang trong lớp nitrua. Giả sử cơ chế phát xạ nhiệt, các mức năng lượng của các bẫy điện tử đã được trích xuất và phát hiện phân bố liên tục trong khoảng cách băng nitrua, với giá trị trung vị khoảng /spl sim/2.12 eV dưới dải dẫn. Sử dụng các phát hiện này, mô hình cho phép dự đoán mất giữ trên phạm vi nhiệt độ rộng, từ 140/spl deg/C-300/spl deg/C, trong thời gian dài, lên đến 10/sup 7/ giây, mức mất giữ lớn, khoảng /spl sim/90%, và các khoảng lập trình từ 1.9-3.3 V. Dựa trên công việc này, mất giữ tương đối sau mười năm ở 140/spl deg/C của một ô NROM dự kiến sẽ là 14% (V/sub DS/=0.1 V) và mất sản phẩm tương đương chưa chu kỳ được dự kiến là 8%.
Từ khóa
#Bẫy điện tử #Thiết bị điện môi #Đo lường tổn thất #Độ dẫn nhiệt #Trạng thái năng lượng #Phân bố nhiệt độ #Điện áp ngưỡng #Khoảng cách băng quang phổ #Mô hình dự đoán #Bộ nhớ bán dẫnTài liệu tham khảo
10.1109/16.249436
10.1109/EDL.1987.26563
10.1016/0038-1101(76)90166-0
kapoor, 1980, The Physics of MOS Insulators, 107
10.1016/S0038-1101(00)00012-5
10.1109/55.962662
10.1016/0169-4332(89)90433-9
10.1063/1.1661067
eitan, 1999, can nrom, a 2-bit trapping storage cell, give a real challenge to floating gate cells, Proc SSDM, 522
lichmanov, 1995, charge storage in monos memory elements with inhomogeneously distributed trap centers in silicon nitride, Optoelectron Instrum Data Process, 4, 34
10.1109/55.877205