Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc trưng điện của tinh thể đơn HgCdTe có khoảng cách băng rất hẹp bằng các phép đo Hall trong trường từ biến thiên
Tóm tắt
Các phép đo Hall trong trường từ biến thiên (0 đến 1,5 T) được thực hiện trên các tinh thể đơn Hg1−xCdxTe được mọc ở thể khối có khoảng cách băng rất hẹp (0,165 ≤ x ≤ 0,2) ở nhiều nhiệt độ khác nhau (10 đến 300K). Mật độ electron và độ di động được thu thập trong giả thiết một chất tải (electron) của mô hình tensor dẫn giảm. Dữ liệu hiện tại cùng với tập dữ liệu chọn lọc được báo cáo bởi các tác giả khác cho thấy một đỉnh rõ ràng khi độ di động electron được vẽ theo giá trị thành phần hợp kim x, điều này được dự đoán là do cực tiểu khối lượng hiệu dụng tại điểm giao cắt khoảng cách băng (Eg ≈ 0). Vị trí quan sát được (x ≈ 0,165), độ cao (≈4 x 10^2 m2Vs) và chiều rộng (≈0,01 trong x) của đỉnh độ di động có thể được giải thích bằng một mô phỏng đơn giản liên quan chỉ đến sự tán xạ bởi tạp chất ion hóa. Một giới hạn thấp của khối lượng hiệu dụng được đưa ra như một tham số điều chỉnh để phù hợp với tính hữu hạn của độ di động electron quan sát được và được tìm thấy là vào khoảng 10^−4 của khối lượng của electron tự do.
Từ khóa
#HgCdTe #phép đo Hall #độ di động electron #khoảng cách băng #khối lượng hiệu dụngTài liệu tham khảo
D. Long,Phys. Rev. 176, 923 (1968).
D. Long and J.L. Schmit,Semiconductors and Semimetals, vol. 5, ed. R.C. Willardson and A.C. Beer (Academic Press, 1970), p. 175.
R. Dornhaus and G. Nimtz,Springer Tracts in Modem Physics, Solid State Physics 98 (1983).
G.L. Hansen, J.L. Schmit and T.N. Casselman,J. Appl. Phys. 53, 7099 (1982).
A. Mauger and J. Friedel,Phys. Rev. B 12, 2412 (1975).
J.S. Kim, D.G. Sciler and W.F. Tseng,J. Appl. Phys. 73, 8324 (1993).
L.J. van der Pauw,Philips Tech. Rev. 20, 220 (1958),Philips Res. Rep. 13, 1 (1958).
J.S. Kim, D.G. Sciler, L. Colombo and M.C. Chen,Semicond. Sci. Technol. 9, 1696(1994).
G.L. Hansen and J.L. Schmit,J. Appl. Phys. 54,1639(1982).
D.G. Sciler, J.R. Lowney, C.L. Littler and M.R. Loloee,J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1237 (1990).
J.R. Lowney, D.G. Sciler, C.L. Littler and I.T. Yoon,J. Appl. Phys. 71, 1253 (1992).
S.B. Rafol, I.K. Sou and J.P. Faurie,J. Appl. Phys. 70, 4326 (1991).
Y. Nemirovsky and E. Finkman,J. Appl. Phys. 50, 8107 (1979).
F.L. Madarasz and F. Szmulowicz,J. Appl. Phys. 58, 2770 (1985).
L.N. Korol, L.A. Bovina and V.l. Stafeev,Soviet Phys. Semicond. 11, 288 (1977).
J.S. Kim, D.G. Sciler, L. Colombo and M.C. Chen,J. Electron. Mater. 24, 1305 (1995).
J.J. Dubowski, T. Dietl, W. Szymanska and R.R. Galazka,J. Phys. Chem. Solids 42, 351 (1981).
J.R. Meyer, F.J. Bartoli and C.A. Hoffman,Proc. 7th Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds eds. S.K. Beb and A. Zunger (Snowmass, 1986), p. 559.
H. Brooks,Phys. Rev. 77, 879 (1951),Adv. Electronics and Electron Phys. 7, 85 (1955).
E.O. Kane,J. Phys. Chem. Solids 1, 249 (1957).
M.H. Weiler,Semiconductors and Semimetals, ed. R.K. Willardson and A.C. Beer, vol. 19 (New York: Academic Press, 1981), p. 119.
J. Bajaj, S.H. Shin, G. Bostrup and D.T. Cheung,J. Vac. Sci. Technol. 21, 244 (1982).
M.C. Chen, S.G. Parker and D.F. Weirauch,J. Appl.Phys. 58, 3150 (1985).