Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Rung động từ tính của tạp chất đàn hồi trong các bán dẫn giống kim cương (tán xạ trong cùng thung lũng)
Tóm tắt
Nghiên cứu này điều tra hiện tượng tán xạ bởi một nguyên tố cho electron trung tính đã được kích thích trong Ge và Si gần điểm giao nhau của các mức năng lượng (do tính không đồng nhất của khối lượng hiệu dụng) của các trạng thái điện tử của tạp chất như một hàm của từ trường. Sự giao nhau của các mức năng lượng giống như 2s và 2p dẫn đến sự xuất hiện của một mô men lưỡng cực khác không của nguyên tử tạp chất và, do đó, một tiềm năng tầm xa, điều này chịu trách nhiệm cho các đặc điểm đặc trưng trong quá trình vận chuyển mang. Độ dẫn điện tạp chất vuông góc được tính toán.
Từ khóa
#tán xạ #tạp chất #bán dẫn #Ge #Si #mức năng lượng #từ trường #mô men lưỡng cực #độ dẫn điện.Tài liệu tham khảo
V. F. Gantmakher and I. B. Levinson, Carrier Scattering in Metals and Semiconductors, North-Holland, New York, 1987 [Russian original, Nauka, Moscow, 1984].
V. F. Gantmakher and V. N. Zverev in Landau Level Spectroscopy, edited by G. Landwehr and E. I. Rashba, North-Holland, New York, 1991, p. 1135.
C. Erginsoy, Phys. Rev. 79, 1013 (1950).
H. Kobori, T. Ohyama, and E. Otsuka, J. Phys. Soc. Jpn. 59, 2164 (1990).
S. M. Dickmann and D. I. Sidel’nikov, JETP Lett. 53, 624 (1991).
S. M. Dickmann and D. I. Sidel’nikov, Phys. Lett. A 187, 79 (1994).
R. J. Elliott and R. Loudon, J. Phys. Chem. Solids 8, 382 (1959); 15, 196 (1960).
E. M. Gershenzon, G. N. Gol’tsman, and A. I. Elant’ev, Zh. Éksp. Teor. Fiz. 72, 1062 (1977) [Sov. Phys. JETP 45, 555 (1977)].