Effect of high conductivity amorphous InGaZnO active layer on the field effect mobility improvement of thin film transistors

citation_author=Nomura K.; citation_author=Ohta H.; citation_author=Ueda K.; citation_author=Kamiya T.; citation_author=Hirano M.; citation_author=Hosono H.; citation_journal_title=Science; citation_year=2003; citation_volume=300; citation_pages=1269 citation_author=Nomura K.; citation_author=Takagi A.; citation_author=Kamiya T.; citation_author=Ohta H.; citation_author=Hirano M.; citation_author=Hosono H.; citation_journal_title=Jpn. J. Appl. Phys., Part 1; citation_year=2006; citation_volume=45; citation_issue=5B; citation_pages=4303-4308; citation_author=Kim G. H.; citation_author=Jeong W. H.; citation_author=Kim H. J.; citation_journal_title=Phys. Status Solidi A; citation_year=2010; citation_volume=207; citation_issue=7; citation_pages=1677-1679; citation_author=Lim W. T.; citation_author=Kim S. H.; citation_author=Wang Y. L.; citation_author=Lee J. W.; citation_author=Norton D. P.; citation_author=Pearton S. J.; citation_author=Ren F.; citation_author=Kravchenko I. I.; citation_journal_title=J. Vac. Sci. Technol. B; citation_year=2008; citation_volume=26; citation_issue=3; citation_pages=959-962; citation_author=Kim W. S.; citation_author=Moon Y. K.; citation_author=Lee S.; citation_author=Kang B. W.; citation_author=Kim K. T.; citation_author=Lee J. H.; citation_author=Kim J. H.; citation_author=Ahn B. D.; citation_author=Park J. W.; citation_journal_title=Jpn. J. Appl. Phys.; citation_year=2010; citation_volume=49; citation_pages=08JF02 citation_author=Nakata M.; citation_author=Takechi K.; citation_author=Azuma K.; citation_author=Tokumitsu E.; citation_author=Yamaguchi H.; citation_author=Kaneko S.; citation_journal_title=Appl. Phys. Express; citation_year=2009; citation_volume=2; citation_pages=021102 citation_author=Yoshihiro U.; citation_author=Yasuaki I.; citation_author=Paolo B. J.; citation_author=Haruka Y.; citation_author=Satoshi U.; citation_author=Yukihiro O.; citation_author=Masahiro H.; citation_author=Yukiharu U.; citation_journal_title=Jpn. J. Appl. Phys.; citation_year=2014; citation_volume=53; citation_pages=03CC04 citation_author=Shimura Y.; citation_author=Nomura K.; citation_author=Yanagi H.; citation_author=Kamiya T.; citation_author=Hirano M.; citation_author=Hosono H.; citation_journal_title=Thin Solid Films; citation_year=2008; citation_volume=516; citation_pages=5899-5902; citation_author=Shin J. W.; citation_author=Cho W. J.; citation_author=Choi C. J.; citation_author=Jang M.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2009; citation_volume=94; citation_pages=053502 citation_author=Calvet L. E.; citation_author=Luebben H.; citation_author=Reed M. A.; citation_author=Wang C.; citation_author=Snyder J. P.; citation_author=Tucker J. R.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=2002; citation_volume=91; citation_pages=757 citation_author=Jung S. M.; citation_author=Cho W. J.; citation_author=Jung J.; citation_journal_title=J. Korean Phys. Soc.; citation_year=2012; citation_volume=60; citation_pages=6 citation_author=Lee S. W.; citation_author=Park J. H.; citation_author=Jeon K. C.; citation_author=Kim S. C.; citation_author=Jeon Y. W.; citation_author=Kim D. H.; citation_author=Kim D. M.; citation_author=Park J. C.; citation_author=Kim C. J.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2010; citation_volume=96; citation_pages=113506 citation_author=Lide D. R.; citation_publisher=Internet Version, ; citation_title=CRC Handbook of Chemistry and Physics; citation_year=2009; citation_pages=12-114; citation_author=Trinh T. T.; citation_author=Nguyen V. D.; citation_author=Nguyen H. H.; citation_author=Raja J.; citation_author=Jang J. Y.; citation_author=Jang K. S.; citation_author=Baek K. H.; citation_author=Dao V. A.; citation_author=Yi J. S.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2012; citation_volume=100; citation_pages=143502 citation_author=Ahn B. D.; citation_author=Jeong W. H.; citation_author=Shin H. S.; citation_author=Kim D. L.; citation_author=Kim H. J.; citation_author=Jeong J. K.; citation_author=Choi S. H.; citation_author=Han M. K.; citation_journal_title=Electrochem. Solid-State Lett.; citation_year=2009; citation_volume=12; citation_issue=12; citation_pages=H430-H432; citation_author=Chung H. J.; citation_author=Han J. H.; citation_author=Ahn T. K.; citation_author=Lee H. J.; citation_author=Kim M. K.; citation_author=Jun K. G.; citation_author=Park J. S.; citation_author=Jeong J. K.; citation_author=Mo Y. G.; citation_author=Kim H. D.; citation_journal_title=Electrochem. Solid-State Lett.; citation_year=2008; citation_volume=11; citation_pages=H51 citation_author=Cerdeira A.; citation_author=Estrada M.; citation_author=Soto-Cruz B. S.; citation_author=Iñiguez B.; citation_journal_title=Microelectron. Reliab.; citation_year=2012; citation_volume=52; citation_pages=2532 citation_author=Estrada M.; citation_author=Cerdeira A.; citation_author=Iñiguez B.; citation_journal_title=Microelectron. Reliab.; citation_year=2012; citation_volume=52; citation_pages=1342 citation_author=Choi S. H.; citation_author=Han M. K.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2012; citation_volume=100; citation_pages=043503 citation_author=Lee J. H.; citation_author=Ahn C. H.; citation_author=Hwang S.; citation_author=Woo C. H.; citation_author=Park J. S.; citation_author=Cho H. K.; citation_author=Lee J. Y.; citation_journal_title=Thin Solid Films; citation_year=2011; citation_volume=519; citation_pages=6801 citation_author=Mativenga M.; citation_author=Seok M.; citation_author=Jang J.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2011; citation_volume=99; citation_pages=122107 citation_author=Samsonov G. V.; citation_publisher=IFI/Plenum, New York; citation_title=The oxide Handbook; citation_year=1982; citation_author=Choi K. H.; citation_author=Kim H. K.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2013; citation_volume=102; citation_pages=052103 citation_author=Yang J. H.; citation_author=Ahn C. G.; citation_author=Baek I. B.; citation_author=Jang M. G.; citation_author=Sung G. Y.; citation_author=Park B. C.; citation_author=Im K. J.; citation_author=Lee S. J.; citation_journal_title=Thin Solid Films; citation_year=2009; citation_volume=517; citation_pages=1825-1828; citation_author=Kim S. J.; citation_author=Kim K. K.; citation_author=Kim H. S.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2012; citation_volume=101; citation_pages=033506 citation_author=Wright J. S.; citation_author=Stafford L.; citation_author=Gila B. P.; citation_author=Norton D. P.; citation_author=Pearton S. J.; citation_author=Wang H. T.; citation_author=Ren F.; citation_journal_title=J. Electron. Mater.; citation_year=2007; citation_volume=36; citation_issue=4; citation_pages=488-493; citation_author=Kim H. H.; citation_author=Moon J. Y.; citation_author=Heo Y. W.; citation_author=Lee H. S.; citation_journal_title=Thin solid films; citation_year=2010; citation_volume=518; citation_pages=6348-6351; citation_author=Yang M. H.; citation_author=Teo K. B. K.; citation_author=Milne W. I.; citation_author=Hasko D. G.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2005; citation_volume=87; citation_pages=253116