Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tác động của Bức xạ Tia cực tím và Trường điện Tới Độ dẫn của Các cấu trúc Dựa trên α- và ε-Ga2O3
Tóm tắt
Nghiên cứu này xem xét tác động của bức xạ tia cực tím và một trường điện mạnh lên độ dẫn điện của các cấu trúc dựa trên hai loại màng oxit galli polymorphic. Cả hai loại màng Ga2O3 đều được tạo ra bằng phương pháp nén hơi hydride trên các nền sapphire nhẵn và có hoa văn với hướng (0001). Trong cùng một quy trình, trên các nền nhẵn, màng α-Ga2O3 được thu được, và trên các nền có hoa văn, các màng oxit galli với cấu trúc quy luật vuông góc với nền chứa các vùng xen kẽ của pha α và pha ε được lắng đọng. Các cấu trúc điện trở dựa trên màng hai pha cho thấy sự chuyển tiếp từ trạng thái có điện trở thấp sang trạng thái có điện trở cao khi tiếp xúc với bức xạ có λ = 254 nm và dưới tác động của một trường điện mạnh. Thời gian phản ứng với bức xạ UV là 5 giây, và thời gian phục hồi ngắn hơn 1 giây.
Từ khóa
#bức xạ tia cực tím #trường điện #độ dẫn điện #oxit galli #màng polymorphicTài liệu tham khảo
S. Lee, Y. Ito, K. Kaneko, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 3 (2015).
A. A. Dakhel, Solid State Sci. 20, 54 (2013).
S. I. Stepanov, V. I. Nikolaev, V. E. Bougrov, and A. E. Romanov, Rev. Adv. Mater. Sci. 44, 63 (2016).
I. Cora, F. Mezzadri, F. Boschi, M. Bosi, M. Caplovicova, G. Calestani, I. Dodony, B. Pecza, and R. Fornari, Cryst. Eng. Commun. 19, 1509 (2017).
D. Guo, X. Qin, M. Lv, H. Shi, Y. Su, G. Yao, S. Wang, C. Li, P. Li, and W. Tang, Electron. Mater. Lett. 13, 483 (2017).
L. Qian, Z. Wu, Y. Zhang, P. Lai, X. Liu, and Y. Li, ACS Photon. 4, 2203 (2017).
J. W. Roberts, P. R. Chalker, B. Ding, R. A. Oliver, J. T. Gibbon, L. A. H. Jones, V. R. Dhanak, L. J. Phillips, L. J. Major, and F. C. Massabuau, J. Cryst. Growth 528, 125254 (2019).
X. Xia, Y. Chen, Q. Feng, H. Liang, P. Tao, M. Xu, and G. Du, Appl. Phys. Lett. 108, 202103 (2016).
H. Son, Y. Choi, J. Hwang, D. Jeon, Y. Ra, Y. Lee, J. Kim, S. Kim, and T. Lim, ECS J. Solid State Sci. Technol. 8, 3024 (2019).
Y. Xu, C. Zhang, Y. Cheng, Z. Li, Y. Cheng, Q. Feng, D. Chen, J. Zhang, and Y. Hao, Materials 12, 3670 (2019).
V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, V. V. Nikolaev, M. P. Scheglov, A. V. Chikiryaka, S. I. Stepanov, O. S. Medvedev, S. V. Shapenkov, E. V. Ubyivovk, and O. F. Vyvenko, J. Phys.: Conf. Ser. 1400, 055049 (2019).
S. Shapenkov, O. Vyvenko, E. Ubyivovk, O. Medvedev, G. Varygin, A. Chikiryaka, A. Pechnikov, M. Scheglov, S. Stepanov, and V. Nikolaev, Phys. Status Solidi A 217, 1900892 (2020).
C. Shih, Adv. Mater. Sci. Eng. 2014, 4 (2014).
R. Lampert and P. Mark, Current Injection in Solids (Academic, New York, 1970).
G. C. Hu, C. X. Shan, N. Zhang, M. M. Jiang, S. P. Wang, and D. Z. Shen, Opt. Express 23, 13559 (2015).
S. B. Cho and R. Mishra, Appl. Phys. Lett. 112, 162101 (2018).