Ảnh Hưởng Của Tạp Chất Từ Tính Đến Tính Chất Vật Lý Của Các Hợp Chất Dựa Trên Cd3As2 Trong Các Phạm Vi Nhiệt Độ Và Áp Suất Rộng

Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques - Tập 17 - Trang 291-297 - 2023
L. A. Saypulaeva1, A. G. Alibekov1, N. V. Melnikova2, A. N. Babushkin2, A. V. Tebenkov2, V. S. Zakhvalinskii3, A. I. Ril’4, S. F. Marenkin4, M. M. Gadzhialiev1
1Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia
2Institute of Natural Sciences and Mathematics, Ural Federal University named after the first President of Russia B. N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia
3Belgorod State National Research University, Belgorod, Russia
4Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Tóm tắt

Các kết quả của các nghiên cứu thực nghiệm về điện trở, hiệu ứng Hall và điện trở từ tính của các hợp chất Cd3As2 + kMnAs (k = 20, 30, 44.7 mol %) trong một buồng áp suất cao kiểu toroid, cho phép tạo ra áp suất thủy tĩnh lên đến 9 GPa ở nhiệt độ phòng trong các trường từ tính lên đến 5 kOe, đã được trình bày. Khi áp suất tăng, điện trở của các mẫu với các hàm lượng mangan khác nhau cho thấy sự gia tăng với tốc độ khác nhau. Trong khoảng áp suất 4.2–4.4 GPa, một chuyển tiếp cấu trúc thuận nghịch được quan sát. Sự gia tăng áp suất làm giảm thành phần dương của điện trở từ tính; tại các áp suất P ≈ 1.0 và P ≈ 2.6 GPa, một vùng điện trở từ tính âm được quan sát. Với việc tăng áp suất hơn nữa, điện trở từ tính tăng phi địa phương lên tới P ≈ 4.3 GPa, tức là vùng chuyển tiếp pha.

Từ khóa

#Cd3As2 #tạp chất từ tính #điện trở #hiệu ứng Hall #điện trở từ tính #áp suất cao #chuyển tiếp cấu trúc

Tài liệu tham khảo

Z. Wang, H. Weng, Q. Wu, X. Dai, and Z. Fang, Phys. Rev. B 88, 125427 (2013). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.125427 S. Borisenko, Q. Gibson, D. Evtushinsky, V. Zabolotnyy, B. Buchner, and R. J. Cava, Phys. Rev. Lett. 113, 027603 (2014). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.113.027603 E. K. Arushanov, Prog. Cryst. Growth Charact. 25, 131 (1992). A. I. Ril’, A. V. Kochura, S. F. Marenkin, et al., Izv. Yugo-Zap. Gos. Univ., Ser. Tekh. Tekhnol. 7, 120 (2017). H. Lu, X. Zhang, and Sh. Jia, https://arxiv.org/abs/1507.07169. J. Cisowski, Phys. Status Solidi B 200, 311 (1997). https://doi.org/10.1002/1521-3951(199704)200:2%3C311: :AID-PSSB311%3E3.0.CO;2-P" https://doi.org/10.1002/1521-3951(199704)200:2<311: :AID-PSSB311>3.0.CO;2-P A. G. Alibekov, A. Yu. Mollaev, L. A. Saipullaeva, S. F. Marenkin, I. V. Fedorchenko, and A. I. Ril’, Russ. J. Inorg. Chem. 62, 90 (2017). https://doi.org/10.1134/S003602361701003X A. G. Alibekov, A. Yu. Mollaev, L. A. Saipullaeva, S. F. Marenkin, and I. V. Fedorchenko, Inorg. Mater. 52, 357 (2016). https://doi.org/10.1134/S0020168516040014 N. V. Melnikova, A. V. Tebenkov, G. V. Sukhanova, A. N. Babushkin, L. A. Saipulaeva, V. S. Zakhvalinskii, S. F. Gabibov, A. G. Alibekov, and A. Yu. Mollaev, Phys. Solid State 60, 494 (2018). https://doi.org/10.1134/S1063783418030174 I. Crassee, R. Sankar, L. Lee, et al., Phys. Rev. Mater. 2, 92 (2018). https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.120302 L. He, Y. Jia, S. Zhang, X. Hong, Ch. Jin, and Sh. Li, Quantum Mater. 1, 16014 (2016). https://doi.org/10.1038/npjquantmats.2016.14 S. Zhang, Q. Wu, L. Schoop, et al., Phys. Rev. B 91, 165133 (2015). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.91.165133 V. Franck, Z. Yunlin, L. Lounis, et al., Phys. Rev. Lett. 122, 145702 (2019). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.122.145702 D. H. Mosca, F. Vidal, and V. H. Etgens, Phys. Rev. Lett. 101, 125503 (2008). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.101.125503 N. Menyuk, J. A. Kafalas, K. Dwight, et al., Phys. Rev. 177, 942 (1969). F. C. Nascimento, A. O. Santos, A. Campos, et al., Mater. Res. 9, 111 (2006). https://doi.org/10.1590/S1516-14392006000100021 F. Moradiannejad, J. S. Hashemifar, and H. Akbarzadeh, J. Comput. Methods Phys. 23, 879164 (2013). https://doi.org/10.1155/2013/879164 R. H. Wilson and J. S. Kasper, Acta Crystallogr. 17, 95 (1964). https://doi.org/10.1107/S0365110X64000330 I. F. Gribanov, Z. A. Zavadskii, and A. P. Sivachenko, Fiz. Nizk. Temp. (Kiev) 5, 1219 (1979). K. Maki, T. Kaneko, H. Hiroyoshi, and K. Kamigaki, J. Magn. Magn. Mater. 177–181, 1361 (1998). https://doi.org/10.1016/S0304-8853(97)00490-3 V. P. Glazkov, D. P. Kozlenko, and K. M. Podurets, Crystallogr. Rep. 48, 54 (2003). https://doi.org/10.1134/1.1541743 L. A. Saipulaeva, Z. Sh. Pirmagomedov, M. M. Gadzhiaxliev, A. G. Alibekov, N. V. Mel’nikova, V. S. Zakhvalinskii, A. I. Ril’, and S. F. Marenkin, Phys. Solid State 63, 644 (2021). https://doi.org/10.1134/S1063783421040193 A. Yu. Mollaev, L. A. Saipulaeva, R. K. Arslanov, and S. F. Marenkin, Inorg. Mater. 37, 327 (2001). https://doi.org/10.1023/A:1017511324090 S. F. Marenkin, V. M. Trukhan, I. V. Fedorchenko, S. V. Trukhanov, and T. V. Shoukavaya, Russ. J. Inorg. Chem. 59, 355 (2014). https://doi.org/10.1134/S0036023614040111 S. F. Marenkin, A. D. Izotov, I. V. Fedorchenko, and V. M. Novotortsev, Russ. J. Inorg. Chem. 60, 295 (2015). https://doi.org/10.1134/S0036023615030146 X. L. Wang, Q. Shao, A. Zhuravlyova, et al., Sci. Rep. 5, 9221 (2015). https://doi.org/10.1038/srep09221
Thông tin
Thông tin xuất bản

Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques

Tập 17

291-297

Thông tin tác giả