Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tác động của lớp bề mặt đảo ngược trong việc điều chỉnh rào cản Schottky: Một nghiên cứu số
Tóm tắt
Phương trình Poisson và các phương trình trượt – khuếch tán được sử dụng để mô phỏng đặc điểm dòng – điện áp của điốt Schottky với lớp bề mặt bị bơm đảo ngược. Tiềm năng bên trong bán dẫn khối gần tiếp xúc kim loại – bán dẫn được ước lượng bằng cách giải đồng thời các phương trình này, và sau đó dòng điện theo hàm độ lệch qua điốt Schottky được tính toán. Các tham số của điốt Schottky được chiết xuất bằng cách điều chỉnh dữ liệu mô phỏng với phương trình khuếch tán phát xạ nhiệt điện. Mô phỏng được thực hiện cho nhiều độ dày lớp đảo ngược khác nhau và nồng độ doping. Các tham số điốt thu được được phân tích để nghiên cứu ảnh hưởng của độ dày lớp đảo ngược và nồng độ doping đến việc điều chỉnh điốt Schottky và hành vi của nó ở nhiệt độ thấp. Kết quả cho thấy việc tăng độ dày lớp đảo ngược và nồng độ doping dẫn đến sự tăng cường chiều cao rào cản Schottky và thay đổi yếu tố lý tưởng. Sự phụ thuộc vào nhiệt độ của chiều cao rào cản Schottky và yếu tố lý tưởng cũng được nghiên cứu.
Từ khóa
#Điốt Schottky #lớp bề mặt đảo ngược #phương trình Poisson #phương trình trượt – khuếch tán #phát xạ nhiệt điện #nồng độ doping #nhiệt độ thấp.Tài liệu tham khảo
J.M. Shannon, Appl. Phys. Lett. 24, 368 (1974).
P. Kordos, M. Marso, R. Meyer, and H. Luth, J. Appl. Phys. 72, 2347 (1992).
R. Nawaz, M. Elliott, S.P. Wilks, R.H. Williams, S.W. Bland, and J.I. Davies, Appl. Surf. Sci. 123–124, 467 (1998).
J. Osvald, Phys. Status Solidi C 3, 928 (2003).
S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (New York: Wiley, 2002).
B.G. Streetman, Solid State Electronic Devices, 2nd ed. (Englewood Cliffs: Prentice-Hall, 1986).
J. Osvald, J. Appl. Phys. 85, 1935 (1999).
D. Mayergoyz, J. Appl. Phys. 59, 195 (1986).
C.E. Korman and I.D. Mayergoyz, J. Appl. Phys. 68, 1324 (1990).
H.K. Gummel, IEEE Trans. Electron Dev. 11, 455 (1964).
S. Selberherr, Analysis and Simulation of Semiconductor Devices (New York: Springer, 1984).
E.H. Rhoderick, Metal-Semiconductor Contacts, 2nd ed. (Oxford: Clarendon, 1978).
S. Chand, P. Kaushal, and J. Osvald, Int. J. Electron. doi:10.1080/00207217.2012.720946.