Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tác Động Của Thời Gian Siêu Lattice Kiểu Dạng Kéo AlGaN/GaN Đến Laser Diode MQW InGaN
Tóm tắt
Các siêu lattice AlGaN/GaN dạng kéo đã được sử dụng trong các lớp vỏ của diode laser đa giếng lượng tử InGaN được trồng bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD). Siêu lattice đã được nghiên cứu nhằm giảm ứng suất cho lớp vỏ, cũng như tăng cường nồng độ lỗ, gấp hơn mười lần giá trị thu được từ các film AlGaN khối. Các diode laser với siêu lattice dạng kéo làm lớp vỏ cho thấy có cấu trúc và tính chất điện tốt hơn so với diode laser có lớp vỏ AlGaN khối. Khi chu kỳ của các siêu lattice dạng kéo giảm, điện áp ngưỡng cũng như mật độ dòng ngưỡng giảm. Độ kháng lại sự dẫn điện theo chiều dọc qua các siêu lattice p-type với chu kỳ siêu lattice tăng không được bù đắp bởi sự gia tăng nồng độ lỗ do khoảng cách siêu lattice tăng, dẫn đến điện áp cao hơn.
Từ khóa
#AlGaN/GaN #siêu lattice #diode laser #InGaN #ứng suất #nồng độ lỗ #MOCVDTài liệu tham khảo
S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemeto, M. Sano, K. Chocho. Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., S-1, p. 444 (1997).
K. Ito, K. Hiramatsu, H. Amano, I. Akasaki. J. Cryst. Growth 104, 533 (1990).
S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemeto, M. Sano, K. Chocho. Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
P. Kozodoy, M. Hansen, U.K. Mishra and S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett. 74, 3681 (1999).
B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P. DenBaars, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996).