Drive current enhancement in tunnel field-effect transistors by graded heterojunction approach

citation_author=Choi W. Y.; citation_author=Park B.-G.; citation_author=Lee J. D.; citation_author=Liu T.-J. K.; citation_journal_title=IEEE Electron Device Lett.; citation_year=2007; citation_volume=28; citation_pages=743 citation_author=Ionescu A. M.; citation_author=Riel H.; citation_journal_title=Nature; citation_year=2011; citation_volume=479; citation_pages=329 citation_author=Reddick W. M.; citation_author=Amaratunga G. A. J.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=1995; citation_volume=67; citation_pages=494 citation_author=Wang P.-F.; citation_author=Hilsenbeck K.; citation_author=Nirschl Th.; citation_author=Oswald M.; citation_author=Stepper Ch.; citation_author=Weis M.; citation_author=Schmitt-Landsiedel D.; citation_author=Hansch W.; citation_journal_title=Solid-State Electron.; citation_year=2004; citation_volume=48; citation_pages=2281 citation_author=Boucart K.; citation_author=Ionescu A. M.; citation_journal_title=Solid-State Electron.; citation_year=2007; citation_volume=51; citation_pages=1500 citation_author=Shih C.-H.; citation_author=Chien N. D.; citation_journal_title=IEEE Electron Device Lett.; citation_year=2011; citation_volume=32; citation_pages=1498 citation_author=Wang P.-F.; citation_author=Nirschl Th.; citation_author=Schmitt-Landsiedel D.; citation_author=Hansch W.; citation_journal_title=Solid-State Electron.; citation_year=2003; citation_volume=47; citation_pages=1187 citation_author=Verhulst A. S.; citation_author=Vandenberghe W. G.; citation_author=Maex K.; citation_author=Groeseneken G.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2007; citation_volume=91; citation_pages=053102 citation_author=Toh E.-H.; citation_author=Wang G. H.; citation_author=Samudra G.; citation_author=Yeo Y.-C.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=2008; citation_volume=103; citation_pages=104504 citation_author=Nayfeh O. M.; citation_author=Hoyt J. L.; citation_author=Antoniadis D. A.; citation_journal_title=IEEE Trans. Electron Devices; citation_year=2009; citation_volume=56; citation_pages=2264 citation_author=Mookerjea S.; citation_author=Mohata D.; citation_author=Mayer T.; citation_author=Narayanan V.; citation_author=Datta S.; citation_journal_title=IEEE Electron Device Lett.; citation_year=2010; citation_volume=31; citation_pages=564 citation_author=Luisier M.; citation_author=Klimeck G.; citation_journal_title=Proceedings of International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices; citation_year=2009; citation_pages=1 citation_author=Virani H. G.; citation_author=Rao R. B.; citation_author=Kottantharayil A.; citation_journal_title=Jpn. J. Appl. Phys., Part 1; citation_year=2010; citation_volume=49; citation_pages=04DC12 citation_author=Chien N. D.; citation_author=Vinh L. T.; citation_author=Kien N. V.; citation_author=Hsia J.-K.; citation_author=Kang T.-S.; citation_author=Shih C.-H.; citation_journal_title=Proceedings of International Symposium on Next-Generation Electronics; citation_year=2013; citation_pages=67 citation_author=Shih C.-H.; citation_author=Chien N. D.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=2013; citation_volume=113; citation_pages=134507 Synopsys MEDICI User's Manual, Synopsys Inc., Mountain View, CA, 2010. citation_author=Toh E.-H.; citation_author=Wang G. H.; citation_author=Chen L.; citation_author=Samudra G.; citation_author=Yeo Y.-C.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2007; citation_volume=90; citation_pages=263507 citation_author=Toh E.-H.; citation_author=Wang G. H.; citation_author=Samudra G.; citation_author=Yeo Y.-C.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2007; citation_volume=91; citation_pages=243505 citation_author=Kane E. O.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=1961; citation_volume=32; citation_pages=83 citation_author=Fischetti M. V.; citation_author=Laux S. E.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=1996; citation_volume=80; citation_pages=2234 citation_author=Luisier M.; citation_author=Klimeck G.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=2010; citation_volume=107; citation_pages=084507 citation_author=Chien N. D.; citation_author=Shih C.-H.; citation_author=Vinh L. T.; citation_author=Kien N. V.; citation_journal_title=Proceedings of International Conference on IC Design and Technology; citation_year=2013; citation_pages=73 citation_author=Leonelli D.; citation_author=Vandooren A.; citation_author=Rooyackers R.; citation_author=Verhulst A. S.; citation_author=Gendt S. D.; citation_author=Heyns M. M.; citation_author=Groeseneken G.; citation_journal_title=Jpn. J. Appl. Phys., Part 1; citation_year=2011; citation_volume=50; citation_pages=04DC05 citation_author=Krishnamohan T.; citation_author=Donghyun K.; citation_author=Raghunathan S.; citation_author=Saraswat K.; citation_journal_title=Tech. Dig. – Int. Electron Devices Meet.; citation_volume=2008; citation_pages=1