Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phát triển các cảm biến hồng ngoại rào cản unipolar siêu mạng lớp ép kiểu II InAs/InAsSb
Tóm tắt
Gần đây, chúng tôi đã báo cáo về các cảm biến hồng ngoại rào cản unipolar siêu mạng lớp ép kiểu II InAs/InAsSb (T2SLS) và các mảng ở mặt phẳng tiêu cự trong dải sóng hồng ngoại giữa (MWIR) với nhiệt độ hoạt động cao hơn đáng kể so với InSb. Tại đây, chúng tôi tài liệu hóa quá trình phát triển dẫn đến việc sản xuất các cảm biến MWIR InAs/InAsSb T2SLS tại Phòng thí nghiệm Đẩy Không gian NASA. Chúng tôi cũng so sánh ngắn gọn các cảm biến InAs/InAsSb T2SLS với một số phương pháp khác.
Từ khóa
#hồng ngoại #cảm biến rào cản unipolar #siêu mạng lớp ép #InAs #InAsSb #nhiệt độ hoạt độngTài liệu tham khảo
D.Z. Ting, A. Soibel, A. Khoshakhlagh, S.B. Rafol, S.A. Keo, L. Höglund, A.M. Fisher, E.M. Luong, and S.D. Gunapala, Appl. Phys. Lett. 113, 021101 (2018).
D.Z. Ting, S.B. Rafol, K.A. Sam, J. Nguyen, A. Khoshakhlagh, A. Soibel, L. Höglund, A.M. Fisher, E.M. Luong, J.M. Mumolo, J.K. Liu, and S.D. Gunapala, IEEE Photon. J. 10, 6804106 (2018).
S. Maimon and G.W. Wicks, Appl. Phys. Lett. 89, 151109 (2006).
A. Soibel, C.J. Hill, S.A. Keo, L. Höglund, R. Rosenberg, R. Kowalczyk, A. Khoshakhlagh, A. Fisher, D.Z.-Y. Ting, and S.D. Gunapala, Appl. Phys. Lett. 105, 023512 (2014).
A. Soibel, S.A. Keo, A. Fisher, C.J. Hill, E. Luong, D.Z. Ting, S.D. Gunapala, D. Lubyshev, Y. Qiu, J.M. Fastenau, and A.W.K. Liu, Appl. Phys. Lett. 112, 041105 (2018).
D.Z.-Y. Ting, S.V. Bandara, S.D. Gunapala, J.M. Mumolo, S.A. Keo, C.J. Hill, J.K. Liu, E.R. Blazejewski, S.B. Rafol, and Y.-C. Chang, Appl. Phys. Lett. 94, 111107 (2009).
S.D. Gunapala, S.V. Bandara, C.J. Hill, D.Z. Ting, J.K. Liu, S.B. Rafol, E.R. Blazejewski, J.M. Mumolo, S.A. Keo, S. Krishna, Y.-C. Chang, and C.A. Shott, IEEE J. Quantum Electron. 43, 230 (2007).
C.J. Hill, A. Soibel, S.A. Keo, J.M. Mumolo, D.Z. Ting, and S.D. Gunapala, Electron. Lett. 46, 1286 (2010).
D.Z.-Y. Ting, A. Soibel, S.A. Keo, A. Khoshakhlagh, C.J. Hill, L. Höglund, J.M. Mumolo, and S.D. Gunapala, J. Electron. Mater. 42, 3071 (2013).
C.J. Hill, D.Z. Ting, and S.D. Gunapala, U.S. Patent Application 2010/0155777 (2010); U.S. patent 9,466,741 (2016).
A. Soibel, D.Z. Ting, C.J. Hill, A.M. Fisher, L. Höglund, S.A. Keo, and S.D. Gunapala, Appl. Phys. Lett. 109, 103505 (2016).
L. Höglund, D.Z. Ting, A. Khoshakhlagh, A. Soibel, C.J. Hill, A. Fisher, S. Keo, and S.D. Gunapala, Appl. Phys. Lett. 103, 221908 (2013).
W.E. Tennant, J. Electron. Mater. 39, 1030 (2010).
D.Z. Ting, A. Soibel, A. Khoshakhlagh, S.A. Keo, S.B. Rafol, A.M. Fisher, B.J. Pepper, E.M. Luong, C.J. Hill, and S.D. Gunapala, SPIE Proceedings Volume 10624, Infrared Technology and Applications XLIV; 1062410 (2018).
D.Z. Ting, A. Khoshakhlagh, A. Soibel, C.J. Hill, and S.D. Gunapala, U.S. Patent Application 13/197,588 (2011); U.S. Patent 8,217,480 (2012).
E.H. Steenbergen, B.C. Connelly, G.D. Metcalfe, H. Shen, M. Wraback, D. Lubyshev, Y. Qiu, J.M. Fastenau, A.W.K. Liu, S. Elhamri, O.O. Cellek, and Y.-H. Zhang, Appl. Phys. Lett. 99, 251110 (2011).
H.S. Kim, O.O. Cellek, Z.-Y. Lin, Z.-Y. He, X.-H. Zhao, S. Liu, H. Li, and Y.-H. Zhang, Appl. Phys. Lett. 101, 161114 (2012).
D. Wu, Q. Durlin, A. Dehzangi, Y. Zhang, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 114, 011104 (2019).
A. Haddadi, G. Chen, R. Chevallier, A.M. Hoang, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 105, 121104 (2014).
A. Haddadi, A. Dehzangi, S. Adhikary, R. Chevallier, and M. Razeghi, APL Mater. 5, 035502 (2017).
R. Chevallier, A. Haddadi, and M. Razeghi, Nat. Sci. Rep. 7, 12617 (2017).
A.M. Hoang, G. Chen, R. Chevallier, A. Haddadi, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 104, 251105 (2014).
A. Haddadi, R. Chevallier, G. Chen, A.M. Hoang, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 106, 011104 (2015).
E.A. Plis, T. Schuler-Sandy, D.A. Ramirez, S. Myers, and S. Krishna, Electron. Lett. 51, 2009 (2015).
R. Hao, Y. Ren, S. Liu, J. Guo, G. Wang, Y. Xu, and Z. Niu, J. Cryst. Growth 470, 33 (2017).
K. Michalczewski, Ł. Kubiszyn, P. Martyniuk, C.H. Wu, J. Jureńczyk, K. Grodecki, D. Benyahia, A. Rogalski, and J. Piotrowski, Infrared Phys. Technol. 95, 222 (2018).
D.J.P. Perez, L. Cerutti, J.B. Rodriguez, T. Cerba, T. Baron, E. Tournié, and P. Christol, Infrared Phys. Technol. 96, 39 (2019).
M.A. Kinch, Fundamentals of Infrared Detector Materials (Bellingham: SPIE Press, 2007), p. 57.
B.V. Olson, E.A. Shaner, J.K. Kim, J.F. Klem, S.D. Hawkins, L.M. Murray, J.P. Prineas, M.E. Flatte, and T.F. Boggess, Appl. Phys. Lett. 101, 092109 (2012).
T. Ashley and C.T. Elliot, Electron. Lett. 21, 451 (1985).
D. Lee, M. Carmody, E. Piquette, P. Dreiske, A. Chen, A. Yulius, D. Edwall, S. Bhargava, M. Zandian, and W.E. Tennant, J. Electron. Mater. 45, 4587 (2016).
P.C. Klipstein, Y. Livneh, A. Glozman, S. Grossman, O. Klin, N. Snapi, and E. Weiss, J. Electron. Mater. 43, 2984 (2014).
I. Vurgaftman, G. Belenky, Y. Lin, D. Donetsky, L. Shterengas, G. Kipshidze, W.L. Sarney, and S.P. Svensson, Appl. Phys. Lett. 108, 222101 (2016).
D.Z. Ting, A. Soibel, and S.D. Gunapala, Appl. Phys. Lett. 108, 183504 (2016).