Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Khuyết tật tinh thể trong tế bào năng lượng mặt trời được sản xuất bằng phương pháp thermomigration
Tóm tắt
Bài báo trình bày kết quả nghiên cứu cấu trúc tinh thể của các vùng trong silicon, được tái kết tinh trong quá trình thermomigration của vùng lỏng Si–Al trong thể tích của nền silicon (các vùng tương tự được dop với tạp chất nhận electron được sử dụng để tạo ra tế bào năng lượng mặt trời điện áp cao). Các phương pháp quang hấp thụ X-ray (bao gồm đo đạc cả đường cong tán xạ phản xạ và topo) cùng với kính hiển vi điện tử độ phân giải cao chỉ ra rằng các vùng đơn tinh thể dưới dạng một chuỗi các dải mỏng hoặc lưới hình chữ nhật được hình thành do quá trình thermomigration của các vùng lỏng. Các vòng nửa phân vị được phát hiện ở các lớp bề mặt của bề mặt trước và sau của nền. Các khuyết tật loại {311} được quan sát trong các vùng tái kết tinh.
Từ khóa
#khuyết tật tinh thể #tế bào năng lượng mặt trời #thermomigration #tái kết tinh #siliconTài liệu tham khảo
V. M. Andreev, V. A. Grilikhes, and V. D. Rumyantsev, Photoelectric Conversion of Concentrated Solar Radiation (Nauka, Leningrad, 1989) [in Russian].
A. P. Landsman, D. S. Skrebkov, and V. A. Unishkov, Sov. Phys. Solid State 5, 1558 (1971).
V. G. Doroshenko, M. B. Zaks, V. A. Kalash’yan, V. N. Lozovskii, Yu. V. Skokov, and O. I. Solodukha, Geliotekhnika 4, 14 (1979).
US Patent US3936319 (1976).
V. N. Lozovskii, L. S. Lunin, and V. P. Popov, Temperature-Gradient Zone Recrystallization of Semiconductor Materials (Metallurgiya, Moscow, 1987) [in Russian].
V. N. Lozovskii, L. S. Lunin, and B. M. Seredin, Elektron. Tekh., Ser. 2: Poluprov. Prib., Nos. 2–3 (236), 103 (2015).
V. N. Lozovskii, B. M. Seredin, A. S. Polukhin, and A. I. Solodovnik, Elektron. Tekh., Ser. 2: Poluprov. Prib., No. 5 (239), 65 (2015).
S. Takeda, M. Kohyama, and K. Ibe, Philos. Mag. A 70, 287 (1994).