Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu so sánh các phương pháp ủ nhiệt khác nhau và lựa chọn dung môi trong transistor hiệu ứng trường hữu cơ dựa trên Poly(3-hexylthiophene)
Tóm tắt
Một cách tiếp cận đơn giản để nghiên cứu ảnh hưởng của quá trình chế biến lên độ di động của tải điện trong transistor hiệu ứng trường hữu cơ (OFET) dựa trên poly(3-hexylthiophene) (RR P3HT) được xem xét trong bài báo này. Kết quả cho thấy các điều kiện chế biến khác nhau có thể gây ra các mức độ độ trễ khác nhau, điều này có mối tương quan tốt với độ di động điện tích, trong đó độ trễ thấp hơn tương ứng với độ ổn định cao hơn và do đó độ di động điện tích cao hơn. Việc ủ nhiệt bằng dung môi có xu hướng tạo ra các lỗ pin lớn ở quy mô nano trong P3HT, điều này làm suy giảm độ di động.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
Majewski L. A., Kingsley J. W., Balocco C., Song M., Appl. Phys. Lett., 88 (2006), 222108.
Zaumseil J., Sirringhaus H., Chem. Rev., 107 (2007), 1296.
Yan H. et al., Nature, 457 (2009), 679.
Lyashenko D. A., Zakhidov A. A., Pozdin V. A., Malliaras G. G., Organic Electronics, 11 (2010), 1507.
Xu W., Rhee S. W., Organic Electronics, 11 (2010), 836.
Sirringhaus H. et al., Nature, 401 (1999), 685.
Sethuraman K., Ochiai S., Kojima K., Mizutani T., Appl. Phys. Lett., 92 (2008), 183302.
Huang J. H. et al., ACS Applied materials and interfaces, 1(12) (2009), 2821.
Kanai K., Miyazaki T., Suzuki H., Inaba, M., Ouchi, Y., Seki K., Phys. Chem., 12 (2010), 273.
Yang H., Shin T. J., Yang L., Cho K., Ryu C. Y., Bao Z., Adv. Funct. Mater., 15 (2005), 15 671.
Wang G., Swensen J., Moses D., Heeger. A. J., J. Appl. Phys., 93 (10) (2003), 6137.
Karakawa M., Chikamatsu M., Yoshida Y., Oishi M., Azumi R., Yase K., Jpn. J. Appl. Phys., 49 (2010), 01AE12–1.
Fu Y., Lin C., Tsai F. Y., Organic Electronics, 10 (2009), 883.
Li G., Yao Y., Yang, H., Shrotriya V., Yang G., Yang Y., Adv. Funct. Mater., 17 (2007), 1636.
Facchetti A., Materials Today, 10(3) (2007), 28.
Brinkmann M., Journal of Polymer Science Part B: Polymer Physics, 49 (2011), 1218.
Majewski L. A., Song A. M., J. Appl. Phys., 102 (2007), 074515
Park Y. D., Lee S. G., Lee, H. S., Kwak D., Lee D. H., Cho K., J. Mater. Chem., 21 (2011), 2338.