Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc trưng hóa các khuyết tật trong các tinh thể nano CdSe dạng keo bằng kỹ thuật phát quang nhiệt kích thích đã được chỉnh sửa
Tóm tắt
Các phụ thuộc về nhiệt độ của quang phổ phát quang của các tinh thể nano CdSe đường kính 5 nm được tổng hợp bằng các phương pháp hóa học keo được nghiên cứu. Hai băng tần quan sát được trong các quang phổ này xung quanh 2.01 và 1.37 eV tương ứng với các chuyển tiếp giữa các băng và phát quang của các trạng thái khuyết tật. Một mô hình giải thích hành vi nhiệt độ của cường độ băng quang phát quang trong cả quá trình làm lạnh và làm nóng được đưa ra. Một sửa đổi mới của kỹ thuật phát quang nhiệt kích thích phân giải quang phổ được đề xuất, cho phép xác định năng lượng kích hoạt và đặc điểm của các bẫy chịu trách nhiệm cho sự phụ thuộc nhiệt độ của cường độ phát quang. Kỹ thuật này được sử dụng để thu được năng lượng kích hoạt của quá trình phát xạ và bắt giữ electron tại các bẫy (190 và 205 meV, tương ứng) và để xác định độ sâu của mức electron (57 meV) chịu trách nhiệm cho phát quang trong vùng 1.37 eV.
Từ khóa
#quang phổ phát quang #CdSe #tinh thể nano #bẫy electron #năng lượng kích hoạt #nhiệt độTài liệu tham khảo
A. I. Ekimov and A. A. Onushchenko, JETP Lett. 34, 345 (1981).
L. Kim, P. O. Anikeeva, S. A. Coe-Sullivan, J. S. Steckel, M. G. Bawendi, and V. Bulović, Nano Lett. 8, 4513 (2008).
P. O. Anikeeva, C. F. Madigan, J. E. Halpert, M. G. Bawendi, and V. Bulović, Phys. Rev. B 78, 085434 (2008).
P. O. Anikeeva, J. E. Halpert, M. G. Bawendi, and V. Bulović, Nano Lett. 7, 2196 (2007).
V. Wood, M. J. Panzer, J. Chen, M. S. Bradley, J. E. Halpert, M. G. Bawendi, and V. Bulović, Adv. Mater. 21, 2151 (2009). http://dx.doi.org/10.1002/adma.200803256
D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 2564 (1998).
O. B. Shchekin and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 80, 3277 (2002).
M. Bruchez, M. Moronne, P. Gin, S. Weiss, and A. P. Alivisatos, Science 281, 2013 (1998).
B. Sun, W. Xie, G. Yi, D. Chen, Y. Zhou, and J. Cheng, J. Immunol. Methods 249, 85 (2001).
D. Loss and D. P. DiVincenzo, Phys. Rev. A 57, 120 (1998).
J. Gorman, D. G. Hasko, and D. A. Williams, Phys. Rev. Lett. 95, 090502 (2005).
T. Inoshita and H. Sakaki, Phys. B: Condens. Matter 227, 373 (1996).
U. Bockelmann and T. Egeler, Phys. Rev. B 46, 15574 (1992).
A. V. Fedorov, A. V. Baranov, I. D. Rukhlenko, T. S. Perova, and K. Berwick, Phys. Rev. B 76, 045332 (2007).
T. Orii, S. Kaito, K. Matsuishi, S. Onari, and T. Arai, J. Phys.: Condens. Matter 14, 9743 (2002).
A. A. Vashchenko, V. S. Lebedev, A. G. Vitukhnovskii, R. B. Vasiliev, and I. G. Samatov, JETP Lett. 96, 113 (2012).
R. Chen and S. W. S. McKeever, Theory of Thermoluminescence and Related Phenomena (World Scientific, 1997).
R. B. Vasiliev, S. G. Dorofeev, D. N. Dirin, D. A. Belov, and T. A. Kuznetsova, Mendeleev Commun. 14, 169 (2004).
A. I. Ekimov, Al. L. Efros, M. G. Ivanov, A. A. Onushchenko, and S. K. Shumilov, Solid State Commun. 565 (1989).
A. L. Efros and M. Rosen, Phys. Rev. Lett. 78, 1110 (1997).
I. Osad’ko, Chem. Phys. 316, 99 (2005).