Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc tính của màng mỏng 3C-SiC được phát triển trên bề mặt Si được điều chỉnh bằng các hình mẫu có chu kỳ và độ sâu khác nhau
Tóm tắt
Các ảnh hưởng của kích thước hình mẫu lên chất lượng của các màng mỏng SiC đã được nghiên cứu, được phát triển trên các vật liệu nền Si có hình mẫu bằng kỹ thuật lắng đọng hơi hóa học. Kết quả từ nhiều kỹ thuật đặc trưng khác nhau chỉ ra rằng chất lượng của các màng SiC trên các vật liệu nền có hình mẫu không có cải thiện đáng kể. Quan sát từ phân tích nhiễu xạ tia X siêu cao (XRD) cho thấy rằng các màng SiC trên bề mặt bị xước (sâu ≤10 nm) có chất lượng tương đương với SiC trên bề mặt phẳng Si, và chất lượng của SiC được phát triển trên các vật liệu nền có hình mẫu răng cưa (sâu ∼25 nm hoặc ∼75 nm) thậm chí có thể thấp hơn so với SiC/màng phẳng-Si.
Từ khóa
#3C-SiC #màng mỏng #lắng đọng hơi hóa học #nhiễu xạ tia X #bề mặt có hình mẫuTài liệu tham khảo
T.P. Chow, MRS Symp. Proc. 622, T1.1.1 (2000).
B.-T. Lee, D.-K. Kim, Y.H. Seo, K.S. Nahm, H.J. Lee, K.-W. Lee, K.-S. Yu, Y. Kim, and S.J. Jang, J. Mater. Res. 14, 24 (1999).
K. Ismail, F. Legoues, N.H. Karam, J. Carter, and Henry I. Smith, Appl. Phys. Lett. 59, 2418 (1991).
R. Bhat, E. Kapon, J. Werner, D.M. Hwang, N.G. Stoffel, and M.A. Koza, Appl. Phys. Lett. 56, 863 (1990).
E.M. Koontz, G.S. Petrich, L.A. Kolodziejski, and M.S. Goorsky, Semicond. Sci. Technol. 15, R1 (2000).
C.A. Mullan, G.C. Weatherly, and D.A. Thompson, J. Cryst. Growth 182, 266 (1997).
Hiroyuki Nagasawa, Kuniaki Yagi, and Takamitsu Kawahara, J. Cryst. Growth 237–239, 1244 (2002).
Z.C. Feng, C.C. Tin, R. Hu, and J. Williams, Thin Solid Films 266, 1 (1995).
Sung Nee George Chu, T. Tanbun-Ek, Ralph A. Logan, J. Vandenberg, P.F. Sciortino, Jr., P. Wisk, and T.L. Pernell, IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 3, 862 (1997).