Điốt phát sáng ánh sáng xanh lớp cường độ sáng cao InGaN/AlGaN kiểu dị thể kép

Applied Physics Letters - Tập 64 Số 13 - Trang 1687-1689 - 1994
Shuji Nakamura1, Takashi Mukai1, Masayuki Senoh1
1Department of Research and Development, Nichia Chemical Industries, Ltd., 491 Oka, Kaminaka, Anan, Tokushima 774, Japan

Tóm tắt

Điốt phát sáng (LEDs) ánh sáng xanh kiểu dị thể kép InGaN/AlGaN lớp cường độ sáng cao đạt được cường độ sáng trên 1 cd đã được chế tạo. Một lớp InGaN pha Zn được sử dụng làm lớp hoạt động cho các điốt này. Công suất đầu ra tiêu biểu đạt 1500 μW và hiệu suất lượng tử bên ngoài cao đến 2,7% ở dòng điện tiếp phía trước 20 mA tại nhiệt độ phòng. Bước sóng đỉnh và chiều rộng phổ tại điểm nửa cường độ cực đại của điện phát quang lần lượt là 450 và 70 nm. Giá trị cường độ sáng này là cao nhất từng được báo cáo đối với điốt xanh.

Từ khóa

#Điốt phát sáng #dị thể kép InGaN/AlGaN #cường độ sáng cao #ánh sáng xanh #hiệu suất lượng tử

Tài liệu tham khảo

1991, Appl. Phys. Lett., 59, 1272, 10.1063/1.105472

1992, Appl. Phys. Lett., 60, 2045, 10.1063/1.107109

1992, Appl. Phys. Lett., 60, 1999, 10.1063/1.107123

1992, J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237, 10.1116/1.585897

1989, J. Cryst. Growth, 98, 209, 10.1016/0022-0248(89)90200-5

1989, Jpn. J. Appl. Phys., 28, L2112, 10.1143/JJAP.28.L2112

1989, Inst. Phys. Conf. Ser., 106, 141

1989, Jpn. J. Appl. Phys., 28, L1334, 10.1143/JJAP.28.L1334

1991, Appl. Phys. Lett., 59, 2251, 10.1063/1.106086

1992, Jpn. J. Appl. Phys., 31, L1457, 10.1143/JJAP.31.L1457

1993, Jpn. J. Appl. Phys., 32, L8, 10.1143/JJAP.32.L8

1974, Appl. Phys. Lett., 24, 281, 10.1063/1.1655183

1977, J. Cryst. Growth, 42, 136, 10.1016/0022-0248(77)90186-5

1980, J. Appl. Phys., 51, 625, 10.1063/1.327318

1987, J. Appl. Phys., 61, 4589, 10.1063/1.338366

1991, Jpn. J. Appl. Phys., 30, 1620, 10.1143/JJAP.30.1620

1991, Appl. Phys. Lett., 58, 2021, 10.1063/1.105239

1992, Jpn. J. Appl. Phys., 31, 1258, 10.1143/JJAP.31.1258

1993, Jpn. J. Appl. Phys., 32, L338, 10.1143/JJAP.32.L338