Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sự suy giảm độ dẫn điện quang học bất thường quan sát được trong các phép đo lường sóng cao tần của thời gian sống của hạt mang trong các thỏi silic
Tóm tắt
Một mô tả ngắn gọn được đưa ra về một phương pháp không tiếp xúc bằng sóng cao tần để đo thời gian sống dư thừa của hạt mang, trong đó một phần chân đế của thỏi đang nghiên cứu được chọn cho chiếu sáng bằng nhịp. Phương pháp này được sử dụng trong một thí nghiệm trên các thỏi silic được đặt giữa một ống sóng phát và một ống sóng thu, với chiếu sáng được cung cấp bởi một tia laser bán dẫn 1.06-μm. Với diện tích chiếu sáng khoảng 1 mm2, sự suy giảm độ dẫn điện quang học được phát hiện bắt đầu một khoảng thời gian đáng kể sau khi nhịp ánh sáng kết thúc. Nguyên nhân của hiện tượng này chưa được xác định.
Từ khóa
#microwave noncontact method #excess-carrier lifetime #silicon ingots #photoconductivity decay #semiconductor laser #waveguide #pulsed illuminationTài liệu tham khảo
Borodovskii, P.A., Buldygin, A.F., and Tokarev, A.S., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg), 2004, vol. 38,issue 9, p. 1043 [Semiconductors (Engl. Transl.), vol. 38, no. 9, p. 1005].
Borodovskii, P.A., Buldygin, A.F., Tokarev, A.S., and Chernyavskii, E.V., Mikroelektronika, 2005, vol. 34, no. 5, p. 375 [Russ. Microelectron. (Engl. Transl.), vol. 34, no. 5, p. 316].
Jacobs, H., Brand, F.A., Meindl, J.D., Weitz, S., Benjamin, R., and Holmes, D.A., Proc. IEEE, 1963, vol. 51, no. 4, p. 581.
Zubov, B.V., Manenkov, A.A., Milyaev, V.A., Mikhailova, G.N., Murina, T.M., Sanina, V.A., and Seferov, A.S., in Tr. FIAN, 1977, vol. 100, p. 51.
Lichtenstein, R.M. and Willard, H.J., Jr., Rev. Sci. Instrum., 1967, vol. 38, no. 1, p. 133.