Analysis of the Exciton Luminescence of Silicon for Characterization of the Content of Impurities

Japanese Journal of Applied Physics - Tập 19 Số 3 - Trang 501-511 - 1980
Hiroshi Nakayama1, Taneo Nishino1, Yoshihiro Hamakawa1
1Faculty of Engineering Science, Osaka University

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo