Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu ban đầu về vi cấu trúc của các cấu trúc tiếp xúc ohmic Ti/Pd/Au cho các ứng dụng thiết bị sóng vi gaas
Tóm tắt
Một cuộc điều tra ban đầu về cả các tiếp xúc ohmic titan (75 nm), palladium (75 nm), vàng (400 nm) được lắp đặt và đã xử lý nhiệt đến các lớp GaAs mỏng đã được thực hiện bằng cách kết hợp kính hiển vi điện tử truyền qua, phân tích tia X phát xạ năng lượng, quang phổ khối lượng ion thứ cấp và các phép đo điện. Các tiếp xúc đã xử lý nhiệt cho thấy sự tương tác hạn chế giữa vật liệu kim loại hóa và bán dẫn, với độ sâu xâm nhập của kim loại chỉ 2 nm sau 4 phút xử lý nhiệt ở 380°C. Các tiếp xúc được phát hiện vẫn có cấu trúc lớp sau khi xử lý nhiệt. Các lớp này bao gồm một lớp trên đồng nhất của các hạt Au(Ga) lớn, một lớp giữa không đồng nhất chứa các hạt phong phú Pd nhỏ và một lớp dưới đồng nhất gần như tinh khiết Ti. Các nghiên cứu SIMS ban đầu cho thấy sự khuếch tán của dopant Zn từ lớp epi vào lớp kim loại và điều này có thể có những ảnh hưởng quan trọng đến các thuộc tính điện của các tiếp xúc này.
Từ khóa
#Ti/Pd/Au #tiếp xúc ohmic #GaAs #kính hiển vi điện tử truyền qua #phân tích tia X phát xạ năng lượng #quang phổ khối lượng ion thứ cấp #xử lý nhiệtTài liệu tham khảo
C. Dubon-Chevallier, M. Gauneau, J. F. Bresse, A. Izrael and D. Ankri, J. Appl. Phys.59, 3783 (1986).
T. Sanada and O. Wada, Jpn. J. Appl. Phys.19, 491 (1980).
A. Escobosa, H. Krautle and H. Beneking, J. Cryst. Growth,56, 376 (1982).
J. R. Shealy and S. R. Chinn, Appl. Phys. Lett.47, 410 (1985).
J. K. Twynam, H. Sato and T. Kinosada, Electron. Lett.27, 141 (1991).
M. A. Crouch, DRA (Electron. Div.), RSRE, Malvern, (private communications).
H. H. Berger, Solid-State Electron.15, 145 (1972).
F. Xu, D. M. Hill, Z. Lin, S. G. Anderson, Y. Shapira and J. H. Weaver, Phys. Rev. B37, 10295 (1988).
S. P. Kowalozyk, J. R. Waldrop and R. W. Grant, J. Vac. Sci. Technol.19, 611 (1981).
B. M. Henry, A. E. Staton-Bevan, V. K. M. Sharma, M. A. Crouch and S. S. Gill, presented at the Mater. Res. Soc. 1991 Fall Mtg. (Boston), published in MRS Symp. Proc. Vol. 240, Advanced III-V Compound Semiconductor Growth, Processing and Devices, Ed. S. J. Pea, D. K. Sadana and J. M. Zavada, pub. MRS Pittsburg (1992), p. 431.