Công bố khoa học
Công cụ trích dẫn
Công bố khoa học
Trích dẫn
Tạp chí khoa học
Cơ quan đơn vị
Quản lý tài khoản
Danh mục đã lưu
Đăng xuất
A physical model for the dependence of carrier lifetime on doping density in nondegenerate silicon
Solid-State Electronics
- Tập 25
- Trang 741-747
- 1982
J.G. Fossum
1
,
D.S. Lee
1
1
Department of Electrical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611 U.S.A.
Đi đến bài gốc
Trích dẫn
Lưu lại
Báo lỗi
Tài liệu tham khảo
Thông tin
DOI
:
10.1016/0038-1101(82)90203-9
Thông tin xuất bản
Nhà xuất bản:
Solid-State Electronics
Tập/Số:
Tập 25
Trang:
741-747
Thông tin tác giả