Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu cấu trúc của các màng mỏng CdTe(001) trên substrat GaAs/Si(001) bằng kính hiển vi điện tử độ phân giải cao
Tóm tắt
Các màng mỏng CdTe thuộc kiểu epitaxy được lớn lên trên các substrat GaAs/Si(001) thông qua phương pháp lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại, sử dụng lớp đệm GaAs mỏng. Các giao diện đã được nghiên cứu bằng kính hiển vi điện tử độ phân giải cao và phân tích bản đồ biến dạng theo pha hình học. Kết quả quan sát cho thấy các lõi đứt gãy tồn tại tại giao diện CdTe/GaAs với sự phân bố theo chu kỳ. Khoảng cách của các đứt gãy không đồng nhất được đo khoảng 2 nm, tương ứng với khoảng cách tính toán của một đứt gãy không đồng nhất (2,6 nm) trong CdTe/Si với vector Burgers là a[110]/2. Từ những kết quả này, có thể khẳng định rằng lớp đệm GaAs hấp thụ hiệu quả biến dạng phát sinh từ sự không tương thích mạng tinh thể lớn giữa màng mỏng CdTe và substrat Si với sự hình thành của các khuyết tật cấu trúc theo chu kỳ.
Từ khóa
#CdTe mỏng #GaAs/Si #lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại #kính hiển vi điện tử độ phân giải cao #khuyết tật cấu trúc #đứt gãy không đồng nhất.Tài liệu tham khảo
Y.P. Chen, S. Sivananthan, and J.P. Faurie, J. Electron. Mater. 22, 951 (1993).
K.-C. Kim, H.J. Kim, S.-H. Suh, M. Carmody, S. Sivananthan, and J.-S. Kim, J. Electron. Mater. 39, 863 (2010).
M. Niraula, K. Yasuda, K. Takagi, H. Kusama, M. Tominaga, Y. Yamamoto, Y. Agata, and K. Suzuki, J. Electron. Mater. 34, 815 (2005).
S.-H. Suh, J.-S. Kim, H.J. Kim, and J.-H. Song, J. Cryst. Growth 236, 119 (2002).
Q. Jiang, J.T. Mullins, J. Toman, T.P. Hase, B.J. Cantwell, G. Lloyd, A. Basu, and A.W. Brinkman, J. Cryst. Growth 310, 1652 (2008).
S. Rujirawat, Y. Xin, N.D. Browning, S. Sivananthan, D.J. Smith, S.-C.Y. Tsen, and Y.P. Chen, Appl. Phys. Lett. 74, 2346 (1999).
S. Rujirawat, D.J. Smith, J.P. Faurie, G. Neu, V. Nathan, and S. Sivananthan, J. Electron. Mater. 27, 1047 (1998).
S. Seto, S. Yamada, and K. Suzuki, J. Cryst. Growth 214, 5 (2000).
I. Bhat and W.-S. Wang, Appl. Phys. Lett. 64, 566 (1993).
S. Rujirawat, L.A. Almeida, Y.P. Chen, S. Sivananthan, and D.J. Smith, Appl. Phys. Lett. 71, 1810 (1997).
K.H. Lee, J.H. Jung, T.W. Kim, H.S. Lee, and H.L. Park, Appl. Surf. Sci. 253, 8470 (2007).
M.J. Hÿtch, E. Snoeck, and R. Kilaas, Ultramicoscopy 74, 131 (1998).
J.M. Howe, Interfaces in Materials (New York: Wiley- Interscience, 1997), pp. 408–410.