Công bố khoa học
Công cụ trích dẫn
Công bố khoa học
Trích dẫn
Tạp chí khoa học
Cơ quan đơn vị
Quản lý tài khoản
Danh mục đã lưu
Đăng xuất
Ultra-low rate dry etching conditions for fabricating normally-off field effect transistors on AlGaN/GaN heterostructures
Solid-State Electronics
- Tập 140
- Trang 12-17
- 2018
Zin-Sig Kim
1
,
Hyung-Seok Lee
1
,
Jeho Na
1
,
Sung-Bum Bae
1
,
Eunsoo Nam
1
,
Jong-Won Lim
1
1
ICT Materials & Components & Research Laboratory, ETRI, 218 Gajeongno, Yuseong-Gu, Daejeon 34129, Republic of Korea
Đi đến bài gốc
Trích dẫn
Lưu lại
Báo lỗi
Tài liệu tham khảo
Thông tin
DOI
:
10.1016/j.sse.2017.10.010
Thông tin xuất bản
Nhà xuất bản:
Solid-State Electronics
Tập/Số:
Tập 140
Trang:
12-17
Thông tin tác giả