The solution rate of alumina in CaF2-Al2 O3 slagsSpringer Science and Business Media LLC - Tập 1 - Trang 2253-2256 - 1970
A. Mitchell, B. Burel
The rate of solution of A12O3 in CaF2 + 30 wt pct A12O3 (at 1518° and 1509°C) and CaF2 + 20 wt pct A12O3 (at 1500°C) liquids has been determined. The operative process is diffusion-controlled, with an interdiffusion coefficient,D for the process varying between 8.5 and 8.1 x 10-5 sq cms
- 1 in the CaF2 + 30 wt pct A12O3 slags, and 4.0 × 10-5 sq cms
- 1 in the CaF2 +...... hiện toàn bộ
The bain strain, lattice correspondences, and deformations related to martensitic transformationsSpringer Science and Business Media LLC - Tập 3 - Trang 1113-1121 - 1972
J. S. Bowles, C. M. Wayman
The contribution of E. C. Bain in identifying the correspondence and pure strain involved in ferrous martensitic transformations is reviewed, together with later work which has confirmed Bain’s hypothesis. Modern crystallographic theories of martensitic transformations have their origin in Bain’s recognition that a pure strain by itself would produce a major accommodation problem between the paren...... hiện toàn bộ
Optimization of the range of elastic behavior of unidirectional composites by prestrainingSpringer Science and Business Media LLC - Tập 3 - Trang 2507-2513 - 1972
R. W. Heckel, R. J. Zaehring, H. P. Cheskis
The effect of tensile prestrain on the stage I tensile yield stress has been studied both analytically and experimentally for composites whose stress-strain curves obey the rule of mixtures. The mathematical analysis provides a means for calculating the optimum amount of prestrain, the residual stresses (in the direction of the fibers) in the matrix and fiber materials after unloading from the pre...... hiện toàn bộ
Heteroepitaxial GaAs trên oxit nhôm. I: Nghiên cứu giai đoạn đầu của sự lớn lên Dịch bởi AI Springer Science and Business Media LLC - Tập 1 - Trang 623-628 - 1970
H. M. Manasevit, A. C. Thorsen
Quá trình nucleation và sự phát triển ban đầu của các lớp GaAs được chuẩn bị từ trimethylgallium và arsine trên các substrat (0001) Al2O3 đã được khảo sát thông qua các phép đo điện và các kỹ thuật nhiễu xạ điện tử phản xạ và hiển vi điện tử. Giai đoạn đầu của quá trình phát triển GaAs, dưới các điều kiện phù hợp với sự hình thành phim epitaxial, dường như diễn ra thông qua việc hình thành nhiều h...... hiện toàn bộ
The role of dislocations in the flow stress grain size relationshipsSpringer Science and Business Media LLC - Tập 1 - Trang 1145-1159 - 1970
J. C. M. Li, Y. T. Chou
Calculations involving pile ups of dislocations, both analytical and numerical, using either discrete dislocations or continuous distribution of dislocations of infinitesimal Burgers vectors, are reviewed in the light of their effects on the relation between yield or flow stress and grain size. The limitations of the pileup models are discussed and some nonpileup theories of yielding are criticall...... hiện toàn bộ