Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Màng mỏng ZrC được tạo ra bằng phương pháp lắng đọng laser xung
Tóm tắt
Màng mỏng ZrC đã được phát triển trên các nền Si bằng kỹ thuật lắng đọng laser xung (PLD). Các phương pháp như quang phổ điện tử tia X, nhiễu xạ tia X và phản xạ, ellipsometry quang phổ với góc thay đổi, và đo bốn điểm đã được sử dụng để điều tra thành phần, mật độ, độ dày, hình thái bề mặt, cũng như các tính chất quang và điện của các cấu trúc đã phát triển. Đã phát hiện rằng các màng tinh thể chỉ có thể được phát triển khi sử dụng năng lượng bức xạ trên 6 J/cm2 và nhiệt độ nền vượt quá 500 °C. Tại năng lượng bức xạ 10 J/cm2 và nhiệt độ nền 700 °C, các màng ZrC có kết cấu đặc trưng (100) với cấu trúc lập phương (a=0.469 nm) và mật độ 6.7 g/cm3 đã được lắng đọng. Việc sử dụng môi trường áp suất thấp với C2H2 đã có tác động tích cực đến tính tinh thể và tỷ lệ giữa các phần tử của các màng. Tất cả các màng đều có mức độ ô nhiễm oxy cao, đặc biệt ở vùng bề mặt, do tính phản ứng tương đối của nguyên tử Zr.
Từ khóa
#ZrC #màng mỏng #lắng đọng laser xung #tinh thể #tính chất quang #tính chất điệnTài liệu tham khảo
D. Temple, Mat. Sci. Engr. R24, 185 (1999).
Handbook of Chemistry and Physics 78 th edition, CRC Press LLC, editor D. R. Lide, p. 4–98, (1997-1998)
F. M. Charbonnier, W. A. Mackie, R. L. Hartman, and T. Xie, J. Vac. Sci. Technol. B19, 1064 (2001)
T. Xie, W. A. Mackie, and P. R. Davis, J. Vac. Sci. Technol. J. Vac. Sci. Technol. B19, 2090 (1996).
C. M. Hollabaugh, L. A. Wahman, R. D. Reiswig, R. W. White, and P. Wagner, Nuclear Technology 35, 527 (1997).
J. A. Glass, N. Palmasiano, and R. E. Welsh, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 555, 185 (1999).
G. S. Girolami, J. A. Jensen, E. Gozum, and D. M. Pollina, Mater. Res. Soc. Sim. Proc. 327, 127 (1988)
L. D. Alessio, A. Santagata, R. Teghil, M. Zaccagnino, I. Zacardo, V. Marotta, D. Ferro, and G. DeMaria, Applied Surface Science 168, 284 (2000).
J. M. Howard, V. Craciun, C. Essary, R. K. Singh, Appl. Phys. Lett. 81, 3431 (2002).