1Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180.
Tóm tắt
Tóm tắtCác phim polysilicon trên alumina đã được tái kết tinh bằng phương pháp khu vực nóng chảy với bề mặt nhiệt độ than chì. Mức độ căng thẳng trong mặt phẳng cao và nồng độ căng thẳng cao do sự kéo hạt alumina gây ra hiện tượng gãy kéo ở nhiệt độ cao. Điều này có thể tránh được bằng cách bổ sung photpho vào một lớp SiOo giữa phim polysilicon và nền alumina. Lớp kính cung cấp khả năng giảm biến dạng viscoelastic ở nhiệt độ cao và giúp làm phẳng nền alumina. Kỹ thuật nhiễu xạ tinh thể đôi và etching định hướng cho thấy kết cấu của phim silic được tái kết tinh trên alumina có dạng (100).
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
10.1109/EDL.1981.25418
10.1149/1.2124307
Hunt, 1982, J. Phys., D5, 539
Hoffman, 1975, U. S. Atomic Energy Commission, Technical Report 82
