Electron gặp nhau hai mặt bằng 0 độ trong va chạm nhanh của các ion F và O có điện tích cao với mục tiêu H2

Các phân tích giao thoa đôi (DDCS) cho các electron gặp nhau hai mặt (BEe) được tạo ra bởi các ion F và O có điện tích cao trong khoảng năng lượng 0,5–2 MeV/u khi va chạm với mục tiêu khí H2 đã được nghiên cứu ở góc 0° so với hướng chùm ion. DDCS đo được của đỉnh giao thoa hai mặt rộng đã được mô tả tốt bằng phương pháp xấp xỉ va chạm đơn giản (IA) đối với các ion trần, và đã được chứng minh cung cấp hiệu suất phát hiện in situ cho quang phổ kế electron. Sự phụ thuộc năng lượng của việc sản xuất BEe đối với các vật thể không trần (được bảo vệ) được phát hiện theo một dự đoán IA được tỷ lệ hóa, trong đó một sự gia tăng BEe được thể hiện một cách nhất quán cho khoảng năng lượng va chạm được nghiên cứu.