Cơ chế hình thành cặp khuyết tật - còn lại do bức xạ tia X gây ra trong quá trình kết tinh ở silicon vô định hình được nghiên cứu bằng mô phỏng động lực học phân tử ab initio

Chúng tôi đã nghiên cứu cơ chế vi mô của quá trình kết tinh tăng cường do bức xạ tia X trong silicon vô định hình (a-Si) dựa trên mô phỏng động lực học phân tử ab initio. Chúng tôi nhận thấy rằng các liên kết dở dang hai trạng thái (cấu trúc giống như sp³ và sp²) thể hiện sự giãn nở lưới lớn và có liên quan chặt chẽ với sự hình thành cặp khuyết tật - còn lại do bức xạ tia X. Sự hình thành cặp khuyết tật - còn lại làm giảm năng lượng hình thành của khuyết tật về bằng không và tăng cường quá trình kết tinh với năng lượng di chuyển của khuyết tật rất nhỏ. Tốc độ kết tinh trong a-Si được bức xạ tia X chi phối chủ yếu bởi năng lượng di chuyển của khuyết tật trong cơ chế này vì năng lượng hình thành bằng không trong a-Si bị bức xạ tia X và lớn hơn một bậc so với năng lượng di chuyển trong điều kiện không có bức xạ tia X.