Sử Dụng Transistor Tác Dụng Trường Để Nghiên Cứu Tính Chất Vận Chuyển Quang Của a-Si:H

Springer Science and Business Media LLC - Tập 297 - Trang 883-888 - 1993
A. R. Grant1, P. D. Persans1, R. F. Kwasnick2, G. E. Possin2
1Physics Department and Center for Integrated Electronics, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, USA
2Corporate Research and Development, General Electric, Niskayuna, USA

Tóm tắt

Chúng tôi báo cáo những phép đo mới về chiều dài khuếch tán của các photocarrier thiểu số trong các cấu trúc transistor tác dụng trường silicon vô định hình mỏng. Chúng tôi có khả năng thay đổi độ dẫn điện quang của photocarrier đa số hơn bốn bậc số mũ trong khi theo dõi chiều dài khuếch tán ambipolar hiệu quả bằng kỹ thuật grating photocarrier.

Từ khóa

#photocarrier #khuếch tán #transistor tác dụng trường #silicon vô định hình

Tài liệu tham khảo

I. Balberg, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 258, 693, (1992). L.-Y. Yang, A. Catalano, R. R. Arya, and I. Balberg, Appl. Phys. Lett. 57, 508, (1990). P. Pipoz, E. Sauvain, J. Hubin, and A. Shah, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 258, 777, (1992). C.-D. Abel and G. H. Bauer, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 258, 705, (1992). G. H. Bauer, C. E. Nebel, and H. D. Mohring, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 118, 679, (1988). D. Ritter, K. Zeldov, and K. Weiser, Appl. Phys. Lett., 49, 791, (1986). I. Balberg, J. Appl. Phys., 67, 6329, (1988). I. Balberg, A. Delahoy, and H. Weakliem, Appl. Phys. Lett., 53, 992, (1988). K. Weiser, D. Ritter, in “Amorphous Silicon and Related Materials”, ed. H. Fritzsche, (World Scientific, Singapore, 1989), p. 871. G. Possin and F. C. Wu, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 118, (1988). P. Persans, D. Amzen, G. Possin, L. D’Anna, X.S. Zhao, and K. Breton, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 219, 837, (1991). P. D. Persans, D. Amzen, and G. Possin, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 192, 231, (1990).