Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sử Dụng Transistor Tác Dụng Trường Để Nghiên Cứu Tính Chất Vận Chuyển Quang Của a-Si:H
Tóm tắt
Chúng tôi báo cáo những phép đo mới về chiều dài khuếch tán của các photocarrier thiểu số trong các cấu trúc transistor tác dụng trường silicon vô định hình mỏng. Chúng tôi có khả năng thay đổi độ dẫn điện quang của photocarrier đa số hơn bốn bậc số mũ trong khi theo dõi chiều dài khuếch tán ambipolar hiệu quả bằng kỹ thuật grating photocarrier.
Từ khóa
#photocarrier #khuếch tán #transistor tác dụng trường #silicon vô định hìnhTài liệu tham khảo
I. Balberg, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 258, 693, (1992).
L.-Y. Yang, A. Catalano, R. R. Arya, and I. Balberg, Appl. Phys. Lett. 57, 508, (1990).
P. Pipoz, E. Sauvain, J. Hubin, and A. Shah, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 258, 777, (1992).
C.-D. Abel and G. H. Bauer, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 258, 705, (1992).
G. H. Bauer, C. E. Nebel, and H. D. Mohring, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 118, 679, (1988).
D. Ritter, K. Zeldov, and K. Weiser, Appl. Phys. Lett., 49, 791, (1986).
I. Balberg, J. Appl. Phys., 67, 6329, (1988).
I. Balberg, A. Delahoy, and H. Weakliem, Appl. Phys. Lett., 53, 992, (1988).
K. Weiser, D. Ritter, in “Amorphous Silicon and Related Materials”, ed. H. Fritzsche, (World Scientific, Singapore, 1989), p. 871.
G. Possin and F. C. Wu, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 118, (1988).
P. Persans, D. Amzen, G. Possin, L. D’Anna, X.S. Zhao, and K. Breton, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 219, 837, (1991).
P. D. Persans, D. Amzen, and G. Possin, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 192, 231, (1990).