Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Hiệu ứng Wannier-Stark loại I và loại II trong siêu mạng InGaAs/InGaAs
Tóm tắt
Sự hình thành các miniband được chứng minh qua các thí nghiệm quang dòng trên siêu mạng In0.53Ga0.47As/In0.40Ga0.60As nông được trồng bằng phương pháp lắng đọng hơi giãn nở kim loại hữu cơ dưới áp lực thấp. Các biến đổi phụ thuộc vào điện trường của hình dạng phổ được quy cho sự định vị Wanner-Stark. Cả hai quá trình chuyển tiếp loại I giữa các electron và lỗ nặng cũng như các quá trình chuyển tiếp loại II liên quan đến các lỗ nhẹ bị giới hạn trong các lớp In0.40Ga0.60As đều được quan sát và phân biệt dựa trên sự phụ thuộc đặc trưng vào điện trường của chúng.
Từ khóa
#miniband #siêu mạng #hiệu ứng Wannier-Stark #chuyển tiếp loại I #chuyển tiếp loại IITài liệu tham khảo
G.C. Osbourn: Phys. Rev. B 27, 5126–5128 (1983)
M. Quillec, J.Y. Marzin, J. Primot, G. pa Roux, J.L. Benchimol. J. Burgeat: J. Appl. Phys. 59, 2447–2450 (1986)
K. Magari, M. Okamoto, H. Yasaka, K. Sato, Y. Noguchi, O. Mikami: IEEE Phot. Technol. Lett. 2, 556–558 (1990)
K. Magari, M. Okamoto, Y. Noguchi: IEEE Phot. Technol. Lett. 3, 998–1000 (1991)
M. Okamoto, K. Sato, H. Mawatari, F. Kano, K. Magari, Y. Kondo, Y. Itaya: IEEE J. QE-27, 1463–1469 (1991)
J.E. Zucker, C.H. Joyner, A.G. Dentai: IEEE Phot. Technol. Lett. 4, 432–435 (1992)
R. Schwedler, B. Gallmann, K. Wolter, A. Kohl, K. Leo, H. Kurz, S. Juillaguet, J. Camassel, J.P. Laurenti, F.H. Baumann: Microelectronic Engineering 19, 891–895 (1992)
A. Kohl, S. Juillaguet, B. Fraisse, R. Schwedler, F. Royo, H. Peyre, F. Brüggemann, K. Wolter, K. Leo, H. Kurz, J. Camassel: Proc. E-MRS Spring Meeting, Strassburg (1993) to be published
A. Mircea, A. Ougazzaden, G. Primot, C. Kazmierski: J. Crys. Growth 124, 737 (1992)
H. Peyre, F. Alsina, J. Camassel, J. Pascual, R.W. Glew: J. Appl. Phys. 73, 3760–3768 (1993)
A similar type-II band lineup and its effects on electrooptic properties has been observed by Saker et al. [Phys. Rev. B 43, 4945 (1991)] in an In1−xGaxAs/GaAs superlattice.
R. Schwedler, F. Brüggemann, K. Wolter, Ch. Jaekel, R. Kersting, A. Kohl, K. Leo, H. Kurz: In Proc. Int'l Conf. InP Rel. Mater., Paris (1993). Sociéte des Electriciens et des Electroniciens, IEEE Lasers and Electro-Optics Society, and IEEE Electron Devices Society
J. Camassel, Unpublished data
R. Schwedler, B. Gallmann, K. Wolter, D. Grützmacher, M. Stollenwerk, H. Kurz: In Non-Stoichiometry in Semiconductors, ed. by K.J. Bachmann, H.-L. Hwang, C. Schwab (Elsevier, Amsterdam 1992) pp. 161–166
M.M. Dignam, J.E. Sipe: Phys. Rev. B 43, 4097–4112 (1991)
The E1HH2 line is observed at substantial electric fields only, as expected from the parity selection rules for this transition