Trapping of hydrogen to lattice defects in nickel

Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering - Tập 5 Số 6 - Trang 651-652 - 1997
M. I. Baskes1, Xianwei Sha2, J. E. Angelo3, N. R. Moody1
1Sandia National Laboratories Livermore, CA 94551-0969 USA
2Center for Materials Simulation, Institute of Materials Science, University of Connecticut, Storrs, CT 06269-3136, USA
3Seagate Technology, 8001 E Bloomington Freeway, Bloomington, MN 55420, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Angelo J E, 1995, Modelling Simul. Mater. Sci. Eng., 3, 289, 10.1088/0965-0393/3/3/001

Baskes M I, 1996, 77

Thông tin
Thông tin xuất bản

Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering

Tập 5 Số 6

651-652

Thông tin tác giả