Kỹ thuật nguồn phẳng tạm thời cho việc đo độ dẫn nhiệt và độ khuếch tán nhiệt của các vật liệu rắn

Review of Scientific Instruments - Tập 62 Số 3 - Trang 797-804 - 1991
Stefan Gustafsson1
1Department of Physics, Chalmers University of Technology, S-412 96 Gothenburg, Sweden

Tóm tắt

Thuyết chung về kỹ thuật nguồn phẳng tạm thời (TPS) được trình bày chi tiết với những xấp xỉ cho hai cấu hình thí nghiệm có thể được gọi là ‘‘hình vuông nóng’’ và ‘‘đĩa nóng.’’ Các sắp xếp thí nghiệm và các phép đo trên hai vật liệu, Cecorite 130P và Corning 9606 Pyroceram, sử dụng cấu hình đĩa nóng, được báo cáo và đánh giá.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

1988, Rev. Sci. Instrum., 59, 2269, 10.1063/1.1139946

1979, J. Phys. D, 12, 1411, 10.1088/0022-3727/12/9/003

1981, J. Phys. D, 52, 2596

1986, J. Phys. D, 19, 727, 10.1088/0022-3727/19/5/007

1989, High Temp. High Press., 21, 69

Thông tin
Thông tin xuất bản

Review of Scientific Instruments

Tập 62 Số 3

797-804

Thông tin tác giả