Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tăng Trưởng Phim Mỏng của Siêu Dẫn Tc Cao Bằng Phương Pháp Bốc Hơi Phản Ứng Hỗ Trợ Bằng Plasma Vi Sóng
Tóm tắt
Hoạt động ôxy hóa của plasma oxy được điều tra dựa trên hàm lượng oxy của các phim mỏng HoBa2Cu3Ox. Khu vực ổn định nhiệt động lực của HoBa2Cu3Ox và khu vực nơi các phim HoBa2Cu2Ox được hình thành cũng được xác định cả trong oxy phân tử và trong plasma oxy. Hoạt động ôxy hóa của plasma oxy tương đương với oxy phân tử ở áp suất cao hơn ba bậc. Plasma oxy mở rộng giới hạn ổn định nhiệt động lực về phía nhiệt độ cao hơn và giới hạn hoạt động ôxy hóa về phía áp suất oxy thấp hơn. Ngoài ra, phản ứng bề mặt giữa siêu dẫn oxit và silicon cũng được điều tra. Các ion oxy trong phim HoBa2Cu3Ox khuếch tán vào Si ngay cả ở nhiệt độ phòng, có thể được thúc đẩy bởi sự tương thích mạnh mẽ của silicon với các ion oxy.
Từ khóa
#plasma oxy #phim mỏng #HoBa2Cu3Ox #siêu dẫn #nhiệt động lực học #ion oxy #bề mặt siliconTài liệu tham khảo
T. Aida, A. Tsukamoto, K. Imagawa, T. Fukazawa, S. Saito, K. Shindo, K. Takagi and K. Miyauchi, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L635(1989).
J. Kwo, M. Hong, D.J. Trever, R.M. Fleming, A.E. White, R.C. Farrow, A.R. Kortan and K.T. Short, Appl. Phys. Lett. 53, 2683(1988).
K. Moriwaki, Y. Enomoto, S. Kubo and T. Marakami, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L2075(1988).
T. Terashima, K. Iijima, K. Yamamoto, Y. Bando and H. Mazaki, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L91(1988).
N. Missert, R. Hammond, J.E. Mooij, V. Matijacevic, P. Rosenthal, T.H. Geballe, A. Kapitulnic, M.R. Beasley, S.S. Laderman, C. Lu, E. Garwin and R. Barton, IEEE Transaction on Magnetics 25, 2418(1989).
D.G. Schlom, J.N. Eckstein, I. Bozovic, A.F. Marchall, J.T. Sizemore, Z.J. Chen, K.E. Von Dessonneck, J.S. Harris,.Jr. and J.C. Bravman, in High-Temperature Superconductors: Fundamental Properties and Novel Materials Processing, edited by D. Christen, J. Narayan and L. Schneemeyer (Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 169, Boston, Massachusetts, 1989) pp. 711–714..
S. Watanabe, M. Kawai and T. Hanada, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L1111(1990).
A. Tsukamoto, K. Imagawa, M. Hiratani, T. Aida and K. Miyauchi, J. Appl. Phys. 68, 5278(1990).
K. Miyake, To be published in Commemmorative book on GASEOUS ELECTRONICS AND ITS APPLICATIONS,(1991).
S. Becker and H.-J. Dietze, Physica C 167, 509(1990).
Jorgensen, B.W. Veal, A.P. Paulikas, L.J. Nowicki, G.W. Crabtee, H. Claus and W.K. Kwok, Phys. Rev. B 41, 1863(1990).
K. Yamamoto, B.M. Lairson, C.B. Eom, R.H. Hammond, J.C. Bravman and T.H. Geballe, Appl. Phys. Lett. 57, 1936(1990).
R. Bormman and J. Nolting, Appl. Phys. Lett. 54, 2148(1989).
R.H. Hammond and R. Bormman, Pysica C 162–164, 703(1989).
K. Kishio, J. Shimoyama, T. Hasegawa, K. Kitazawa and K. Fueki, Jpn. J. Appl. Phys. 26, L1156(1987).
Y. Tarutani, T. Fukazawa, U. Kabasawa, A. Tsukamoto, M. Hiratani, M. Suga and K. Takagi: Extended Abstruct of 3rd FED WORKSHOP ON HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTING ELECTRON DEVICES Kumamoto, Japan, 1991, pp.190–193.