Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Khôi phục nhiệt của cấu hình chưa bị tắt của trung tâm EL2 trong GaAs cách điện bán dẫn
Tóm tắt
Trung tâm EL2 là một khuyết tật quan trọng trong GaAs cách điện bán dẫn. Bản chất của nó vẫn đang là vấn đề tranh luận. Gần đây, Levinson đã đề xuất một mô hình lưỡng cực có thể giải thích các tính chất tắt liên quan trước đó đến một trạng thái có thể là metastable. Theo mô hình này, khuyết tật EL2 có thể tồn tại dưới hai cấu hình hình học khác nhau, một bị tắt và một không bị tắt, lần lượt được ký hiệu là (0) và (0*); một số mức năng lượng trong khoảng băng tần được cho là điển hình cho cấu hình (0); trong bài báo này, chúng tôi đề xuất quan sát những mức năng lượng này thông qua dẫn điện kích thích nhiệt hoặc quang hấp thụ kích thích nhiệt. Hành vi của chúng sau các chu kỳ nhiệt trong bóng tối sẽ thể hiện sự chuyển đổi từ cấu hình (0*) sang cấu hình (0). Một ngưỡng nhiệt độ dốc được quan sát tại T=120 K, trong khi đó, các hiện tượng thư giãn dư còn lại cũng được quan sát ở trên T=220 K. Các cơ chế điện tử bên trong của cấu hình (0) cũng sẽ được thảo luận.
Từ khóa
#chuyển đổi cấu hình #khuyết tật EL2 #GaAs #dẫn điện kích thích nhiệt #quang hấp thụ kích thích nhiệt #cơ chế điện tửTài liệu tham khảo
M. Kaminska, M. Skowronski, J. Lagowski, J.M. Parsey, H.C. Gatos: Appl. Phys. Lett.43, 302–304 (1983)
H.C. Gatos, J. Lagowski: Symp. III-V Opt. Ep. and Dev. Proc., San Francisco (1983) (to be published)
M. Taniguchi, Y. Mochizuki, T. Ikoma: Third Conf. Semi-Ins. III V Mat. Kah nee ta (1984)
M. Taniguchi, T. Ikoma: J. Appl. Phys.54, 6448–6451 (1983)
J. Lagowski, D.G. Lin, T. Aoyama, H.C. Gatos: Appl. Phys. Lett.44, 336–338 (1984)
W. Walukiewicz, J. Lagowski, H.C. Gatos: Appl. Phys. Lett.43, 192–194 (1983)
E.R. Weber, H. Ennen, U. Kaufmann, J. Windscheif, J. Schneider, T. Wosinski: J. Appl. Phys.53, 6140–6143 (1982)
J. Lagowski, M. Kaminska, J.M. Parsey, H.C. Gatos, W. Walukiewicz: Conf. GaAs and Rel. Com. (1982) Albuquerque, Conf. Serie65, 41 (AIP, New York 1983)
M. Levinson: Phys. Rev. B28, 3660–3662 (1983)
G.M. Martin: Appl. Phys. Lett.39, 747 (1981)
P.W. Yu: Appl. Phys. Lett.44, 330–332 (1984)
J. Jimenez, M.A. Gonzales, P. Hernandez, J.A. de Saja, J. Bonnafe: J. Appl. Phys. to be published (1984)
G. Vincent, D. Bois, A. Chantre: J. Appl. Phys.53, 3643 (1982)
J. Bourgoin, M. Lannoo:Point Defects in Semiconductors II, Springer Ser. Solid-State Sci.35 (Springer, Berlin, Heidelberg 1983)
E.R. Weber, J. Schneider: Physica B116, 401 (1983)
J.P. Fillard, J. Bonnafe, M. Castagne: Phys. Stat. Sol. (a)72, 65–68 (1982)
J.P. Fillard, J. Bonnafe, M. Castagne: J. Appl. Phys. to be published (1984)
J. Bonnafe, M. Castagne, J. Romestan, J.P. Fillard: J. Phys. C14, 2465–2472 (1981)
P. Bräunlich (ed.):Thermally Stimulated Relaxation in Solids, Topics Appl. Phys.37 (Springer, Berlin, Heidelberg, New York 1979)
J.P. Fillard, M. Castagne, J. Bonnafe, M. de Murcia: J. Appl. Phys.54, 6767–6770 (1983)
M.D. Sturge: Phys. Rev.127, 768–782 (1962)
M.S. Skolnick, L.J. Reed, A.D. Pitt: Appl. Phys. Lett.44, 447–449 (1984)
J. Lagowski, W. Waluckiewicz, T.E. Kazior, H.C. Gatos, J. Siejka: Appl. Phys. Lett.39, 240–242 (1981)
P. Leyral: Thesis Lyon (1984) unpublished
H.J. Queisser: Solid State Electron.21, 1495–1503 (1978)