Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tính chất nhiệt và nhiệt điện của các lớp phim III-nitride và III-oxynitride được chuẩn bị bằng phương pháp phun điện từ phản ứng
Tóm tắt
Nhằm chế tạo một thiết bị điện nhiệt sử dụng III-nitride và III-oxynitride, chúng tôi đã nghiên cứu các tính chất nhiệt và nhiệt điện của chúng, đặc biệt là chúng tôi đã tập trung vào tính dẫn nhiệt. AInN và AlInON được chuẩn bị bằng phương pháp phun điện từ tần số radio phản ứng. Chúng tôi đã đo sự khuếch tán nhiệt và nhiệt dung riêng bằng phương pháp calorimetric xoay chiều, và ước tính giá trị tính dẫn nhiệt là 2.2 W/mK (tại 773 K) cho AlInN và 3.3 W/mK (tại 673 K) cho AlInON. Những giá trị này thấp hơn nhiều so với dự kiến nếu xem xét đến tính dẫn nhiệt lớn của các nitride. Đối với một thiết bị bao gồm 20 cặp lớp phim Chromel-AlInN, công suất đầu ra tối đa là 0.36 μW tại sự chênh lệch nhiệt độ 180 K, và điện áp hở là 0.10 V.
Từ khóa
#III-nitride #III-oxynitride #dẫn nhiệt #nhiệt điện #phun điện từ phản ứngTài liệu tham khảo
S. Bhattacharya, A. L. Pope, R. T. Littleton, T. M. Tritt, V. Ponnambalam, Y. Xia, and S. J. Poon, Appl. Phys. Lett. 77, 2476 (2000).
S. Yamaguchi, Y. Iwamura and A. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 82, 2065 (2003).
S. Yamaguchi, Y. Iwamura and A. Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L1354 (2002).
S. Yamaguchi, R. Izaki, K. Yamagiwa, K. Taki, Y. Iwamura, and A. Yamamoto, Appl. Phys. Lett., 83, 5398 (2003).
I. Hatta, Y. Sasuga, R. Kato, and A. Maesono, Rev. Sci. Instrum. 56, 1643 (1985).