Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc tính nhiệt độ và tần số của độ phóng điện và tổn thất điện môi trong nitrua silicon liên kết phản ứng
Tóm tắt
Độ phụ thuộc nhiệt độ của độ phóng điện và tổn thất điện môi của nitrua silicon liên kết phản ứng (RBSN) đã được đo trong khoảng từ 20 đến 900° C tại các tần số từ 3 Hz đến 300 kHz. Trên khoảng 300° C, cả hai tham số này đều có ảnh hưởng lớn. Phân tích dữ liệu độ phóng điện theo lý thuyết được thảo luận bởi Jonscher và bởi Dissado và Hill dự đoán các đỉnh tổn thất tại 48 Hz và 8 Hz ở nhiệt độ 900 và 800° C, tương ứng. Các giá trị này gần giống với những giá trị được tìm thấy độc lập từ quan sát trực tiếp biến đổi nhiệt độ và tần số của tổn thất điện môi. Với giả định rằng một quá trình kích hoạt nhiệt là nguyên nhân của độ phụ thuộc nhiệt độ vào tần số đỉnh tổn thất, năng lượng kích hoạt liên quan được tìm thấy khoảng 1.94 eV.
Từ khóa
#nitrua silicon liên kết phản ứng #độ phóng điện #tổn thất điện môi #nhiệt độ #tần sốTài liệu tham khảo
J. S. Thorp, A. B. Ahmad, B. L. J. Kulesza andT. G. Bushell,J. Mater. Sci. 19 (1984) 3630.
B. L. J. Kulesza, J. S. Thorp, A. B. Ahmad,ibid. 19 (1984) 915.
A. K. Jonscher,J. Phys. C. 6 (1973) 235.
Idem, Nature 267 (1977) 719.
Idem, Thin Solid Films 36 (1978) 1.
L. A. Dissado andR. M. Hill,Phil. Mag. B. 41 (1980) 625.
A. K. Jonscher,J. Mater. Sci. 16 (1981) 2037.
S. M. Boyer, A. J. Moulson,J. Mater. Sci. 13 (1978) 1637.
A. J. Moulson,ibid. 14 (1979) 1017.
J. S. Thorp andT. G. Bushell,J. Mater. Sci. 20 (1985) 2265.
J. S. Thorp, N. E. Rad, D. Evans andC. D. H. Williams,J. Mater. Sci. 21 (1986) 3091.
T. G. Bushell, PhD thesis, University of Durham (1983).