Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu plasma khí تشكيل trên phim dielectrique thấp k dựa trên silsesquioxane HSG-7000 bằng quang phổ điện tử tia X
Tóm tắt
HSG-7000 là vật liệu dielectrique thấp k dạng spin-on glass (SOG), được sản xuất bởi Hitachi Chemical và dựa trên silsesquioxane (SSQ). Hằng số điện dielectrique (k) của HSG-7000 được cho là 2.2. Sự khuếch tán Cu qua cấu trúc nanoporous của vật liệu dựa trên SSQ trong các mạch nối Cu/Low k đã được báo cáo là một vấn đề đáng quan tâm. Các phương pháp nhằm giảm thiểu sự khuếch tán Cu bao gồm việc thực hiện một lớp rào chắn giữa Cu và vật liệu dielectrique thấp k, hoặc làm đặc bề mặt qua xử lý plasma. Bài báo này thảo luận về tác động của plasma khí tạo thành (93% N2 + 7% H2) nhằm giảm khuếch tán Cu qua phim HSG-7000 mà không làm tăng đáng kể hằng số điện dielectrique (k). Các kết quả FTIR và XPS cho thấy sự hình thành các liên kết C–N do quá trình xử lý plasma. Việc đo lường hồ sơ độ sâu của Cu bằng XPS xác nhận sự giảm khuếch tán Cu qua phim với xử lý plasma. Kết quả cho thấy việc xử lý plasma trong khoảng 30–40 giây trên HSG-7000 sẽ cung cấp khả năng chống khuếch tán Cu hợp lý trong khi đảm bảo sự gia tăng k vẫn dưới 2.4.
Từ khóa
#HSG-7000 #vật liệu dielectrique thấp k #silsesquioxane #khuếch tán Cu #xử lý plasma #quang phổ điện tử tia XTài liệu tham khảo
Z. Chen, K. Prasad, C.Y. Li, S.S. Su, D. Gui, P.W. Lu, X. He, S. Balakumar, Thin Solid Films 462–463, 223 (2004)
P.T. Liu, T.C. Chang, Y.L. Yang, Y.F. Cheng, F.Y. Cheng, F.Y. Shih, J.K. Lee, E. Tsai, S.M. Sze, J. Appl. Phys. Part 1. 38, 6247 (1999)
T.C. Chang, P.T. Liu, F.Y. Shih, S.M. Sze, Electrochem. Solid-state Lett. 2, 390 (1999)
P.T. Liu , T.C. Cheng, Y.S. Mor, S.M. Sze, Jpn J. Appl. Phys. Part 1 38, 3482 (1999)
H.C. Liou, J. Duel, V. Finch, Q. Hen, P. Sakthivel, R. Ruffin, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 612, D5.11.1 (2002)
C.H. Chen, F.S. Huang, Thin Solid Films 441, 248–254 (2003)
C.Y. Li, D.H. Zheng, SS. Su, P.W. Lu, X. He, G.J. Jia, Z. Chen, S.Y. Wu, R. Kumar, Thin Solid Films. 462–463, 172–179 (2004)
Y. Uchida, T. Fukuda, H. Yanazawa, Surface and Interface Analysis 36, 677 (2004)
A.M. Hoyas, J. Schuhmacher, C.M. Whelan, J.P. Celis, K. Maex, Microelectron. Eng. 76, 32 (2004)
A. Rajagopal, C. Gregorie, J.J. Lemaire, J.J. Pireaux, M.R. Baklanov, S. Vanhaelemeersch, K. Maex, J.J.Waeterloos, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2336 (1999)
T.C. Chang, P.T. Liu, Y.J. Mei, Y.S. Mor, T.H. Perng, Y.L. Yang, S.M. Sze, J. Vac. Sci. Technol. B17, 2325 (1999)
K. Maex, M.R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Lacopi, S.H. Brongersma, Z.S. Yanoyitskaya, J. Appl. Phys. 93, 8793 (2003)
N. Klymko, Future Fab International 17 (2004)
G. Beamson, D. Briggs, in High Resolution XPS of Organic Polymers the Scienta ESCA 300 database. (John Wiley & Sons, England, 1992)
J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben, in Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (Perkin-Elmer Corporation, USA, 1992)
J.H. Boo, M.J. Jung, H.K. Park, K.H. Nam, J.G. Han Sci. Direct 188–189, 721 (2004)
International Technology Roadmap for Semiconductor (2004)