Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Chuẩn bị các phim siêu dẫn YBCO bằng quy trình lắng đọng hóa chất
Journal of Materials Science - 1999
Tóm tắt
Đã tiến hành nghiên cứu tính khả thi của dung dịch tiền chất hóa học trong việc sản xuất các phim siêu dẫn YBa2Cu3O7-x. Dung dịch tiền chất đồng nhất gồm các axetat kim loại, 1,3-bis(dimethylamino)-2-propanol, và axit acetic được áp dụng trên các bề mặt [1 0 0] MgO thông qua phương pháp spin-coating. Việc gia nhiệt và thiêu kết sau đó đã loại bỏ các thành phần hữu cơ. Phim epitaxy tốt nhất thu được bằng phương pháp lắng đọng dung dịch hóa học này có nhiệt độ khóc mạch Tc là 78 K.
Từ khóa
#YBa2Cu3O7-x #phim siêu dẫn #dung dịch tiền chất #lắng đọng hóa chất #MgO #nhiệt độ khóc mạchTài liệu tham khảo
(a)G. B. Lubkin, Phys. Today 3 (1995) 20; (b)H. J. SCHEEL, MRS Bull. 9 (1994) 26; (c) T. H. TIEFEL, S. JIN, G. W. KAMMLOTT, J. E. GRAEBNER and R. B. VAN DOVER, Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 1917; (d) T. H. GEBALLE, Science 259 (1993) 306; (e)H. OHTA,T. NAKAYAMA andM. AONO, Riken Review II 2 (1993) 3.
(a)P. D. Grant and R. F. Clark, in the Proceedings of the Symposium on Antenna Technology and Applied Electromagnetics Ottawa, August 1994, p. 581; (b) G. E. DIONNE,D. E. OATES and D. H. TEMME, IEEE Trans. Appl. Supercond. 5 (1995) 2083; (c) C. H. MULLER, F. A. MIRANDA, S. S. TONCHICH and K. B. BHASIN, ibid. 5 (1995) 2559; (d) G. C. LIANG, D. ZHANG, C. F. SHIH, M. E. JOHANASSON and R. S. WITHERS, ibid. 5 (1995) 2652.
(a)K. Zhang, B. S. Kwak, E. P. Boyd, A. C. Wright and A. Erbil, Appl. Phys. Lett. 54(1989) 380; (b) A. J. PANSON, R. G. CHARLES, D. N SCHMIDT, R. J. SZEDON, J. R. MACHIKO and A. I. BRAGINSKI, Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 1756; (c) R. HISKES, S. A. DICAROLIS, J. L. YOUNG, S. S. LADERMAN, R. JACOWITZ and R. C. TABER, Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 606; (d) H. SAKAI, Y. SHIOHARA and S. TANAKA, Physica C 228 (1994) 259.
(a)X. D. Wu, T. Venkatesan, A. Inam, C. Chang, R. Ramesh, D. M. Hwang, L. Nazar, B. Wilkens, S. A. Schwarz, R. T. Ravi, J. A. Martinez, J. B. Barner, P. England, C. T. Rogers, J. M. Tarason, R. E. Muenchausen, S. Foltyn, R. C. Dye, A. R. Garcia and N. S. Nogar, Proc. of MRS 191 (1990) 129; (b) J. FROHLINGSDROF, W. ZANDER and B. STRITZER, Solid State Commun. 67 (1988) 965. (c) A. I. GOLOVASHIKIN, E. V. EKLINOV, S. I. KRASNOSVOBODTSEV and E. V. PECHEN, Physica C 153 (1988) 1455.
(a)S. Wang, Z. Pang, K. D. L. Smith, You-Sheng Hua, C. Deslippe and M. J. Wagner, Inorg. Chem. 34 (1995) 909; (b) S. WANG, Z. PANG and K. D. L. SMITH, ibid. 32 (1993), 4993; (c) S. WANG, S. J. TREPANIER and M. J. WAGNER, ibid. 32 (1993) 833; (d) S. BREEZE and S. WANG, ibid. 33 (1994) 5113; (e) S. WANG, Z. PANG, K. D. L. SMITH and M. J. WAGNER, J. Chem. Soc. Dalton Trans. (1994) 955.
(a)M. E. Gross, M. Hong, S. H. Liou, P. K. Gallagher and J. Kwo,Appl. Phys. Lett. 52 (1988) 160; (b) S. J. GOLDEN, T. E. BLOOMER, F. F. LANGE, A. M. SEGADAES, K. J. VAIDYA and W. L. OLSEN, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 169 (1990) 755; (c) A. H. HAMDI, J. V. MANTESE, A. L. MICHELI, R. C. O. LAUGAL, D. F. DUNGAN, Z. H. ZHANG and K. R. PADMANABHAN, Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 2152; (d) A. GUPTA, R. JAGANNATHAN, E. I. COOPER, E. A. GIESS, J. I. LANDMAN and B. W. HUSSEY, Appl. Phys. Lett. 52 (1988) 2077; (e) C. E. RICE, R. B. VAN DOVER and G. J. FISANICK, Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 1842; (f) S.-T. LEE, S. CHEN, L. S. HUNG and G. BRAUNSTEIN, Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 286; (g) P.-Y. CHU, I. CAMPION and R. C. BUCHANAN, J. Mater. Res. 8 (1993) 261.
(a)A. Purdy and C. F. George, Inorg. Chem. 30 (1991) 1971; (b) A. PURDY, C. F. GEORGE and J. H. CALLAHAN, ibid. 30 (1991) 2813; (c) W. BIDEL, J. DORING,H. W. BOSCH,H.-U. HUND,E. PLAPPERT and H. BERKE, ibid. 32 (1993) 502; (d) A. J. BLAKE, R. O. GOULD, P. E. Y. MILNE and R. E. P. WINPENNY, J. Chem. Soc. Dalton Trans. (1991) 1453; (e) U. CASELLO, P. GUERRIERO, S. TAMBURINI, S. SITRAN and P. A. VIGATO, ibid. (1991) 2145; (f)A. BENCINI,C. BENELLI,A. CANESCHI, R. L. CARLIN, A. DEI and D. GATTESCHI, J. Am. Chem. Soc. 107 (1985) 8128; (g) M. SAKAMOTO, M. TAKAGI, T. ISHIMORI and H. OKAWA, Chem. Soc. Jpn. 61 (1988) 1613; (h) A. J. BLAKE, P. E. Y. MILNE, P. THORNTON and R. E. P. WINPENNY, Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 30 (1991) 1141; (i) C. BENELLI, A. CANESCHI, D. GATTESHI, O. GUILLOU and L. PARDI, Inorg. Chem. 29 (1990) 1750; ( j) A. BENCINI, C. BENELLI, A. CANESCHI, A. DEI, D. GATTESCHI, ibid. 25 (1986) 572.
(a)N. N. Sauer, E. Garcia, K. V. Salazar, R. R. Ryan and J. A. Martin, J. Am. Chem. Soc. 112 (1990) 1525; (b) S. KATAYAMA and M. SEKINE, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 180 (1990) 873; (c) H. S. KOO, C.K. CHIANG, Y. T. HUANG and G. C. TU, ibid. 180 (1990) 917.
(a) "Technical Data Sheet," RD # 4, (Coating and Crystal Technology, Inc., Kittanning, PA 16201) p. 3. (b) J.M. PHILLIPS, MRS Bull. 4 (1995) 35.
C. P. Poole Jr., T. Datta and H. A. Farach, in "Copper oxide superconductors" (Wiley-Interscience, New York, 1988) p. 92.
(a) J. H. Hinken, in "Superconductor electronics, fundamentals and microwave applications" (Springer-Verlag, New York, 1989) p. 6; (b) R. BROWN; V. PENDRICK and D. KALOKITIS, Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 1352.
J. B. Wachtman and R. A. Haber, in "Ceramic Films and Coatings" (Noyes Publications, New Jersey, 1993) p. 315.
(a) Y. Masuda, R. Ogawa and Y. Kawate, J. Mater. Res. 7 (1992) 819; (b) S. A. KRAMER, G. KORDAS, J. MCMILLAN,G. C. HILTON and D. J. VAN HARLINGER, Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 156; (c) A. A. HUSSAIN and M. SAYER, J. Supercond. 5 (1992) 11.
Y. Zhu, J. Tafto and M. Suenaga, MRS Bull. 11 (1991) 54.
P. Kumar, V. Pillai, S. R. Bates and D.O. Shah, Mater. Lett. 16 (1993) 68.
C. N. R. Rao, in "Chemistry of Advanced Materials" (Blackwell Science, London, 1993) p. 155.
D. S. Ginley, E. L. Venturini, J. F. Kwak, R. J. Baughman and B. Morosin, J. Mater. Res. 4 (1989) 496.
R. S. Roth, K. L. Davis and J. R. Denis, Adv. Ceram. Mater. 2 (1987) 36.
S. I. Shaw, Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 612.
P. May, D. Jedamzik, W. Boyle and P. Miller, Supercond. Sci. Technol. 1 (1988) 1.