Công bố khoa học
Công cụ trích dẫn
Công bố khoa học
Trích dẫn
Tạp chí khoa học
Cơ quan đơn vị
Quản lý tài khoản
Danh mục đã lưu
Đăng xuất
The potential and electric field at the metallurgical boundary of an abrupt p-n semiconductor junction
IEEE Transactions on Electron Devices
- Tập 22 Số 11
- Trang 988-994
- 1975
David P. Kennedy
1
1
Department of Electrical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL, USA
Tóm tắt
Từ khóa
Đi đến bài gốc
Trích dẫn
Lưu lại
Báo lỗi
Tài liệu tham khảo
Thông tin
DOI
:
10.1109/t-ed.1975.18258
Thông tin xuất bản
Nhà xuất bản:
IEEE Transactions on Electron Devices
Tập/Số:
Tập 22 Số 11
Trang:
988-994
Thông tin tác giả