Ảnh hưởng của nhiệt độ lên hiện tượng phát quang của tinh thể đơn p-CuGaSe2

Journal of Applied Spectroscopy - Tập 65 - Trang 614-617 - 1998
I. V. Bodnar1, V. A. Ivanov2
1Belarusian State University of Information Science and Radioelectronics, Minsk Belarus
2Institute of Solid-State Physics and Semiconductors, National Academy of Sciences of Belarus, Belarus

Tóm tắt

Chúng tôi đã nghiên cứu sự phụ thuộc của nhiệt độ đối với các băng quang phổ và sản lượng lượng tử bề mặt của hiện tượng phát quang (PhL) cạnh của các tinh thể đơn p-CuGaSe2 thu được bằng phương pháp phản ứng vận chuyển hóa học. Chúng tôi đã xác định năng lượng kích hoạt của các mức chấp nhận và chỉ ra rằng sự phụ thuộc của nhiệt độ đối với cường độ PhL được xác định bởi một mức chấp nhận ở 35 meV dưới nhiệt độ Debye và 150 meV trên nhiệt độ Debye. Quang phổ của PhL ở cạnh tại 300 và 80 K chủ yếu được xác định bởi các chuyển tiếp quang học giữa các băng.

Từ khóa

#p-CuGaSe2 #phát quang #tinh thể đơn #nhiệt độ #mức chấp nhận #quang phổ

Tài liệu tham khảo

J. L. Shay and J. H. Wernick, Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications, Pergamon Press, Oxford (1975). L. Roa, J. Gonzales, and M. Quintero, J. Phys. Chem. Sol.,51, 551 (1990). M. Susaki, T. Miyauchi, and H. Horinaka, Jap. J. Appl. Phys.,17, 1555 (1978). S. Tanaka, S. Kawami, and H. Kobayachi, J. Phys. Chem., Sol.38, 180 (1977). N. N. Koren’ and V. A. Ivanov, Prib. Tekh. Éksp.,6, 161 (1981). I. V. Bodnar’, Izv. Akad. Nauk SSSR, Ser. Neorg. Mat.,18, 1104 (1982). H. Neumann, W. Horig, E. Reccius, W. Moller, and G. Kuhl, Sol. Stat. Commun.,27, 449 (1978). M. Veccni, J. Ramos, and W. Giriat, Sol. State Electron,21, 1609 (1978). B. Tell and P. Bridenbaugh, Phys. Rev.,12, 33330 (1975). G. Masse, K. Djessas, and L. Yuzzhou, J. Appl. Phys.,74, 1376 (1993). N. Yamamoto, H. Horinaka, and K. Okaga, Jap. J. Appl. Phys.,16, 1817 (1977). S. I. Zolotov, R. B. Trofimov, and A. É. Yunovich, Fiz. Tekh. Poluprovodn.,18, 631 (1984). S. I. Zolotov and A. É. Yunovich, Fiz. Tekh. Poluprovodn.20, 263 (1986). Physicochemical Properties of Semiconductor Materials. Handbook [in Russian], Moscow (1979). L. Mandell, R. Tomlinson, and H. Neumann, Sol. State Commun.,32, 201 (1979). D. Look and J. Manthuruthil, J. Phys. Chem. Sol.,37, 173 (1976).