Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tác động của nền tảng và nhiệt độ nung sau khi lắng đọng lên các tính chất điện của phim mỏng InSe poly tinh thể
Tóm tắt
Mối tương quan giữa các tính chất điện của phim mỏng InSe được bốc hơi trong môi trường chân không và các điều kiện tăng trưởng cũng như quá trình nung sau khi lắng đọng đã được nghiên cứu. Các tính chất điện của các phim được lắng đọng đã được khảo sát trong khoảng nhiệt độ từ 50–320 K. Các mức cho của phim InSe đã được phân tích bằng cách áp dụng mô hình cho một cho - một nhận để xử lý dữ liệu điện trở.
Từ khóa
#InSe #phim mỏng poly tinh thể #tính chất điện #nhiệt độ nung #mô hình cho - nhậnTài liệu tham khảo
J. Y. Emery, L. Brahim-Otsmane, M. Jouanne, C. Julienand M. Balkanski, Mater. Sci. Eng. B3 (1989) 13.
M. Parlak, Cć. Erćelebi, I. GÜnal, Z. Salaevand K. Allakhverdiev, Thin Solid Films 258 (1995) 86.
J. P. Guesdon, B. Kobbi, C. Julien and M. Balkans i, Phys. Status Solidi A 102 (1987) 327.
B. Thomas and T. R. N. Kutty, ibid. 119 (1990) 127.
M. B. Thomas, Thin Solid Films 8 (1971) 273.
K. Ando and A. Katsui, ibid. 76 (1981) 141.
T. T. Nang, T. Matsushita, M. Okuda and A. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 16 (1977) 253.
A. Segura, J. P. Guesdon, J. M. Besson and A. Chevy, J. Appl. Phys. 54 (1983) 876.
V. N. Katerinchukand M. Z. Kovalyuk, Sov.-Phys. Semicond 25 (1991) 577.
M. A. Kenawy, A. F. El-Shazly, M. A. Afifi, H. A. Zayed and H. A. El-zahid, Thin Solid Films 200 (1991) 203.
V. M. Koshkin, L. P. Galchinestskii, V. N. Kulik and B. I. Minkov, Solid State Commun. 13 (1973) 1.
C. De Blasi, G. Micocci, A. Rizzo and A. Tepore, Phys. Rev. B 27 (1983) 2429.
S. Shigetomi, T. Ikari, Y. Koga and S. Shigetomi, Phys. Status Solidi A 86 (1984) K69.
A. Segura, F. Pomerand A. Cantarero, Phys. Rev. B 29 (1984) 5708.
G. Micocci, A. Rizzo and A. Tepore, J. Appl. Phys. 54 (1983) 1924.
A. Segura, C. Martinez-Thomas, A. Casonovas, A. Cantarero, J. Martinez-Pastor and A. Chevy, Appl. Phys. A 48 (1989) 445.
A. Casanovas, A. Cantarero, A. Segura and A. Chevy, Phys. Status Solidi A 92 (1985) K155.
J. Emery, C. Julien, M. Jouanne and M. Balkanski, Appl. Surf. Sci. 33/34 (1988) 619.
A. G. Fitzgerald, Thin Solid Films 13 (1972) 55.
M. Yudasaka and K. Nakanishi, ibid. 156 (1988) 145.
M. Yudasaka, T. Matsuokaand K. Nakanishi, ibid. 146 (1987) 65.
P. Houdy, J. L. Maurice, J. M. Besson, J. Y. Laval, A. Chevy and O. Gorochov, J. Appl. Phys. 61 (1987) 5267.
K. Maschkeand PH. Schmid, Phys. Rev. B 12 (1975) 4312.
J. Y. W. Seto, J. Appl. Phys. 46 (1975) 5247.
A. L. Dawar, K. V. Ferdinand, C. Jagdish, P. Kumar and P. C. Mathur, J. Phys. D: Appl. Phys. 16 (1983) 2349.
J. N. Roy, S. Basu and D. N. Bose, J. Appl. Phys. 54 (1983) 847.
N. Benramdane, J. P. Guesdonand C. Julien, Phys. Status Solidi A 146 (1994) 675.
D. V. K. Sastry and P. J. Reddy, Thin Solid Films 105 (1983) 139.
Idem., Phys. Status Solidi A 75 (1983) K183.
B. Thomas, Appl. Phys. A 54 (1992) 293.
M. Persin, A. Persin, B. Celustkaand B. Etlinger, Thin Solid Films 11 (1972) 153.
R. L. Petritz, Phys. Rev. 104 (1956) 1508.
L. L. Kazmerski, “Polycrystalline and Amorphous Thin Films and Devices”, (Academic Press, New York, 1980).
M. Parlak and ć. Erćelebi, Thin Solid Films 322 (1998) 334.
R. G. Mankarious, Solid-State Electron. 7 (1964) 702.
E. H. Putley, “The Hall Effect and Semi-Conductor Physics”, (Dover Publications, New York, 1960).
C. Manfredotti, R. Murri, A. Rizzo, L. Vasenelli and G. Micocci, Phys. Status Solidi A 29 (1975) 475.
C. Manfredotti, A. M. Nancini, R. Murri, A. Rizzo and L. Vasenelli Nuovo Cimento 39B (1977) 257.
E. Kress-Rogers, R. J. Nicholas, J. C. Portal and A. Chevy, Solid-State Commun. 44 (1982) 379.