Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Ảnh hưởng của việc tán xạ electron-hole lên tính chất vận chuyển của một bán kim loại 2D trong giếng lượng tử HgTe
Tóm tắt
Nghiên cứu ảnh hưởng của tán xạ electron-hole (e-h) lên độ dẫn điện và vận chuyển từ tính của HgTe bán kim loại 2D được thực hiện cả lý thuyết và thực nghiệm. Sự hiện diện của tán xạ e-h dẫn đến ma sát giữa electron và lỗ trống, gây ra đóng góp lớn phụ thuộc vào nhiệt độ cho các hệ số vận chuyển. Hệ số ma sát giữa electron và lỗ trống được xác định. So sánh dữ liệu thực nghiệm với lý thuyết cho thấy sự tương tác giữa electron và lỗ trống dựa trên thế Coulomb tầm xa đã đánh giá thấp một cách nghiêm trọng ma sát e-h. Kết quả thực nghiệm phù hợp với mô hình tương tác mạnh giữa các electron và lỗ trống trong tầm ngắn.
Từ khóa
#tán xạ electron-hole #HgTe #bán kim loại 2D #độ dẫn điện #vận chuyển từ tính #tương tác CoulombTài liệu tham khảo
Z. D. Kvon, E. B. Olshanetsky, D. A. Kozlov, N. N. Mikhailov, and S. A. Dvoretskii, JETP Lett. 87(9), 502 (2008).
Z. D. Kvon, E. B. Olshanetsky, E. G. Novik, D. A. Kozlov, N. N. Mikhailov, I. O. Parm, and S. A. Dvoretsky, Phys. Rev. B: Condens. Matter 83, 193304 (2011).
E. B. Olshanetsky, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, E.G. Novik, I. O. Parm, and S. A. Dvoretsky, Solid State Commun. 152, 265 (2012).
E. B. Olshanetsky, Z. D. Kvon, M. V. Entin, L. I. Magarill, N. N. Mikhailov, I. O. Parm, and S. A. Dvoretsky, JETP Lett. 89(6), 290 (2009).
V. F. Gantmakher and I. B. Levinson, Carrier Scattering in Metals and Semiconductors (Nauka, Moscow, 1984; Elsevier, Amsterdam, The Netherlands, 1987).
V. F. Gantmakher and I. B. Levinson, Sov. Phys. JETP 47(1), 133 (1978).
M. V. Entin and L. I. Magarill, Eur. Phys. J. B 81, 225 (2011).
N. N. Mikhailov, R. N. Smirnov, S. A. Dvoretsky, Yu. G. Sidorov, V. A. Shvets, E. V. Spesivtsev, and S. V. Rykhlitski, Int. J. Nanotechnol. 3, 120 (2006).
E. B. Olshanetsky, S. Sassine, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, J. C. Portal, and A. L. Aseev, JETP Lett. 84(10), 565 (2006).
G. M. Gusev, E. B. Olshanetsky, Z. D. Kvon, A. D. Levin, N. N. Mikhailov, and S. A. Dvoretsky, Phys. Rev. Lett. 108, 226804 (2012).
V. L. Bonch-Bruevich and S. G. Kalashnikov, Semiconductor Physics (Nauka, Moscow, 1990) [in Russian].
D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, and J. C. Portal, JETP Lett. 93(3), 170 (2011).
B. L. Altshuler and A. G. Aronov, Electron-Electron Interactions in Disordered Systems, Ed. by A. L. Efros and M. Pollak (Elsevier, Amsterdam, The Netherlands, 1985).
A. M. Finkelstein, JETP Lett. 37(9), 517 (1983).
G. Zala, B. N. Narozhny, and I. L. Aleiner, Phys. Rev. B: Condens. Matter 64, 214204 (2001).