Công bố khoa học
Công cụ trích dẫn
Công bố khoa học
Trích dẫn
Tạp chí khoa học
Cơ quan đơn vị
Quản lý tài khoản
Danh mục đã lưu
Đăng xuất
The application of automatic X-ray rocking curves to the characterization of silicon on sapphire
Journal of Crystal Growth
- Tập 60
- Trang 264-274
- 1982
A. Rey
1
,
J. Trilhe
1
,
J. Borel
1
1
Circuits Intégrés Thomson EFCIS, BP 217, F-38019 Grenoble Cedex, France
Đi đến bài gốc
Trích dẫn
Lưu lại
Báo lỗi
Tài liệu tham khảo
Thông tin
DOI
:
10.1016/0022-0248(82)90099-9
Thông tin xuất bản
Nhà xuất bản:
Journal of Crystal Growth
Tập/Số:
Tập 60
Trang:
264-274
Thông tin tác giả