Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Việc Sử Dụng Pin Mặt Trời Có Lưới Tiếp Xúc Đôi Dưới Điều Kiện Của Kazakhstan
Tóm tắt
Bài báo báo cáo kết quả của các mô phỏng đặc tính đầu ra của pin mặt trời silicon dựa trên giao điểm giữa silicon vô định hình và silicon tinh thể. Ngoài ra, triển vọng tận dụng các mô-đun pin mặt trời silicon hai mặt hiệu suất cao cho các cấu hình định hướng khác nhau cũng được đánh giá. Các đánh giá này dựa trên vị trí địa lý của thành phố Astana (Kazakhstan) nằm ở vĩ độ 51,2° Bắc và kinh độ 71,4° Đông, ở độ cao 354 m so với mực nước biển.
Từ khóa
#pin mặt trời #silicon vô định hình #silicon tinh thể #mô-đun hai mặt #hiệu suất cao #điều kiện khí hậuTài liệu tham khảo
C. B. Perrin and J. Spatially, J. Phys. D 24, 865 (1991).
R. Bartlome, A. Feltrin, and C. Ballif, Appl. Phys. Lett. 94, 201 (2009).
M. Konuma, Plasma Techniques for Film Deposition (Alpha Science, 2005).
A. Matsuda et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells 78, 3 (2003).
T. Mishima et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells 95, 18 (2011).
R. Stangl, M. Kriegel, and M. Schmidt, in Proc. 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion, Hilton Waikoloa Village, Waikoloa, HI, United States, 2006, Vol. 2, p. 1350.
A. Froitzheim et al., in Proc. 3rd World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, Japan, 2003, Vol. 1, p. 279.
R. Stangl, C. Leendertz, and J. Haschke, in Solar Energy, Ed. by R. D. Rugescu (InTech, 2010), p. 319.
Yu. V. Kryuchenko et al., Energy Policy 68, 116 (2014).
C. Gueymard, D. Myers, and K. Emery, Sol. Energy 73, 443 (2002).