Rachel E. Boekenhauer1, Frederick S. Lauten2, Brian W. Sheldon1
1Division of Engineering, Brown University, Providence, USA
2Division of Engineering Brown University Providence, RI 02912 USA
Tóm tắt
Tóm tắtCác lớp phân tán mỏng được sử dụng để tăng cường sự nucleation của Si3N4. Các phim tinh thể liên tục được hình thành ở nhiệt độ tương đối thấp (<1250°C) bằng cách sử dụng một lớp trung gian vô định hình giàu Si. Lớp trung gian này được tạo ra bằng cách thay đổi các điều kiện CVD (tức là bằng cách sử dụng quy trình đa bước). Các mẫu đã được đặc trưng hóa bằng XPS, SEM, và TEM kết hợp với EELS. Kết quả cho thấy rằng sự nucleation của vật liệu tinh thể rất nhạy cảm với cấu trúc và thành phần của các lớp phân tán. Hơn nữa, cấu trúc và thành phần của các lớp trung gian phát triển trong quá trình tăng trưởng, sao cho vật liệu tinh thể chỉ nucleate khi lớp trung gian cung cấp các điều kiện thuận lợi.
