Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu về các thuộc tính quang điện của điốt quang a-SiGe:H
Tóm tắt
Chúng tôi đã nghiên cứu phổ của các loại hợp kim a-SiGe:H khác nhau cho điốt quang pin và điốt Schottky, trong đó khoảng cách năng lượng của a-SiGe:H biến thiên từ 1.75 eV đến 1.35 eV. Chúng tôi nhận thấy rằng phản ứng quang phổ của điốt rào Schottky thay đổi đáng kể tới các bước sóng dài hơn và hiệu suất lượng tử giảm khi độ dày lớp I tăng. Tuy nhiên, đối với điốt pin, việc tăng độ dày lớp I hầu như không làm dịch chuyển phổ sang các bước sóng dài hơn. Đối với cả điốt pin và điốt rào Schottky, hiệu suất lượng tử có thể được cải thiện bằng cách tăng giá trị điện áp ngược. Do đó, một phổ tăng cường với cực đại ở 800nm và chiều cao đến 1µm có thể đạt được cho điốt Schottky a-SiGe:H dưới điện áp ngược. Kết quả cho thấy a-SiGe:H có tiềm năng lớn cho việc phát triển bộ cảm biến hồng ngoại với chi phí thấp.
Từ khóa
#quang điện; điốt Schottky; hợp kim a-SiGe:H; hiệu suất lượng tử; bộ cảm biến hồng ngoạiTài liệu tham khảo
A.M. Johnson, A.M. Glass, D.H. Olson and W.M. Simpsot, Appl. Phys. Lett. 44, 450(1984)
M. Yamaguchi, S. Murakami, S. Todo, and Y. Tawada, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 149, 1989.
P.P. Deimel, G. Moller and K. Baumeisterm, in Amorphous Silicon Semiconductoro-pure Hydrogenated. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 95, Anaheim CA 1987, PP.639–645
Y.K. Fang, S.B. Hwang, Y.W. Chen and L.C. Kuo, will be published in IEEE Electron Device Letter, April, 1991.
C.M. Forthann, S.S. Hegedus and W.A. Buchanan, Journal of Non-Crystalline Solids North-Holland 115 (1989) 21–23.
D.S. Shen, J.P. Conde, V. Chu, S. Aijishi and S. Wagner, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 118, 1988.